[发明专利]用于分配气体的装置和用于处理基板的装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，包括：

处理室；

基板支撑单元，所述基板支撑单元安装在所述处理室中以支撑多个基板，所述基板支撑单元围绕转轴旋转；

室盖，所述室盖覆盖所述处理室的上部；

等离子体发生器，所述等离子体发生器朝向所述基板支撑单元产生等离子体；

等离子体屏蔽器，所述等离子体屏蔽器在所述基板的一侧和所述基板的另一侧中的至少一个中屏蔽由所述等离子体发生器产生的所述等离子体；以及

接地体，所述接地体安装在所述室盖中，

其中，所述等离子体屏蔽器位于所述接地体和所述等离子体发生器之间，

其中，所述基板的所述一侧相对于所述基板面对所述基板支撑单元的所述转轴，

其中，所述基板的所述另一侧是相对于所述基板与所述基板的所述一侧相反的一侧。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述等离子体发生器包括施加有等离子体电力的第一电极和用于接地的第二电极。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第二电极和所述等离子体屏蔽器由不同的材料形成。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中

所述第二电极由导体形成，并且

所述等离子体屏蔽器由非导体或绝缘体形成。

5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中

所述第二电极由导体形成，并且

所述等离子体屏蔽器由陶瓷形成。

6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，

所述等离子体屏蔽器包括：第一屏蔽构件，所述第一屏蔽构件位于所述基板支撑单元的所述转轴与所述第一电极之间以位于所述基板的所述一侧；以及第一耦接构件，所述第一耦接构件将所述第一屏蔽构件耦接到所述第二电极，并且

所述第一耦接构件和所述第一屏蔽构件由相同材料形成。

7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述等离子体屏蔽器包括第一屏蔽构件，所述第一屏蔽构件位于所述基板支撑单元的所述转轴与所述第一电极之间以位于所述基板的所述一侧，并且所述第一屏蔽构件耦接到所述第二电极以接触所述第一电极。

8.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中

所述等离子体屏蔽器包括：第一屏蔽构件，所述第一屏蔽构件位于所述基板支撑单元的所述转轴与所述第一电极之间以位于所述基板的所述一侧；以及第二屏蔽构件，所述第二屏蔽构件位于与所述第一屏蔽构件间隔开的位置处以位于所述基板的所述另一侧，并且

所述第一电极位于所述第一屏蔽构件和所述第二屏蔽构件之间，所述第二电极位于所述第一屏蔽构件和所述第二屏蔽构件之间。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中

所述等离子体屏蔽器包括第二耦接构件，所述第二耦接构件将所述第二屏蔽构件耦接到所述第二电极，并且

所述第二耦接构件和所述第二屏蔽构件由相同材料形成。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，包括：源气体分配单元，所述源气体分配单元安装在所述室盖中以将源气体朝向所述基板支撑单元分配；反应气体分配单元，所述反应气体分配单元安装在所述室盖中以将反应气体朝向所述基板支撑单元分配；第一净化气体分配单元，所述第一净化气体分配单元沿着所述基板支撑单元的旋转方向在与所述源气体分配单元间隔开的位置处安装在所述室盖中；以及第二净化气体分配单元，所述第二净化气体分配单元沿所述基板支撑单元的所述旋转方向在与所述反应气体分配单元间隔开的位置处安装在所述室盖中，

其中，所述反应气体分配单元沿所述基板支撑单元的所述旋转方向在与所述第一净化气体分配单元间隔开的位置处安装在所述室盖中，并且

所述源气体分配单元沿所述基板支撑单元的所述旋转方向在与所述第二净化气体分配单元间隔开的位置处安装在所述室盖中。