[发明专利]晶片的制造方法及层叠体

权利要求书

1.一种晶片的制造方法，其包括：

曝光显影工序，对位于基材上的感光性树脂层进行曝光，并显影而形成两个以上的树脂区域；

装置材料应用工序，在所述曝光显影工序之后，在所述感光性树脂层或所述树脂区域的面上，且与所述基材侧的面相反的一侧的面上应用装置材料；及

在所述装置材料应用工序后，从所述树脂区域分离所述基材而对所述树脂区域进行切片的工序，

在所述装置材料应用工序前，包括在树脂区域应用热的工序，

在所述应用热的工序之后对所述感光性树脂层进行冷却，将所述感光性树脂层冷却至比所述感光性树脂层的玻璃化转变温度低30℃以上。

2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，

所述装置材料为选自导电体材料、半导体材料、绝缘体材料及电子装置中的一种以上。

3.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，

所述显影为负型显影。

4.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，

所述树脂区域位于所述基材的表面。

5.根据权利要求4所述的晶片的制造方法，其中，

所述基材为透明基材，且所述晶片的制造方法包括通过从所述基材的与树脂区域侧的面相反的一侧的面照射光而将所述基材与所述树脂区域分离的工序。

6.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其包括通过对所述基材赋予热能而将所述基材与树脂区域分离的工序。

7.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，

在所述基材与感光性树脂层之间设置临时粘合剂层，并且通过将所述临时粘合剂层与所述基材的界面或所述临时粘合剂层与所述树脂区域的界面剥离，或者将所述临时粘合剂层溶解去除而从所述树脂区域分离所述基材。

8.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，

所述树脂区域包括聚酰亚胺树脂或聚苯并噁唑树脂。

9.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其包括在所述装置材料应用工序后，还以与所述装置材料相接的方式应用第2装置材料的工序。

10.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，

所述基材的基材面的最长的部分的长度为50mm～4000mm。

11.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其包括通过所述曝光显影而在所述树脂区域内形成开口部的工序。

12.根据权利要求11所述的晶片的制造方法，其中，

经由所述开口部，以与所述基材表面相接的方式应用所述装置材料。

13.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，

所述装置材料的应用选自印刷法、光刻法、喷墨法、压印法、掩模蒸镀法及激光转印法。