[发明专利]乙烯-四氟乙烯类共聚物膜及其制造方法

说明书

本发明提供伸缩时不容易发生褶皱的ETFE膜及其制造方法。乙烯‑四氟乙烯类共聚物膜，其特征是，根据由X射线衍射法测定所得的衍射强度曲线中的2θ＝20°附近的峰面积S₂₀、2θ＝19°附近的峰面积S₁₉和2θ＝17°附近的峰面积S₁₇，由下式(1)求出的结晶度为55～70％，由下式(2)求出的准晶层的比例为10～20％，结晶度(％)＝(S₁₉+S₂₀)/(S₁₇+S₁₉+S₂₀)×100……(1)，准晶层的比例(％)＝S₂₀/(S₁₇+S₁₉+S₂₀)×100……(2)。

技术领域

本发明涉及乙烯-四氟乙烯类共聚物(以下也称为“ETFE”)膜及其制造方法。

背景技术

为了隔绝外部气体并进行保护，半导体芯片通常由称作封装体的容器容纳(密封)，作为半导体元件安装在基板上。封装体中使用了环氧树脂等固化性树脂。

作为半导体元件的制造方法，已知有配置半导体芯片等以使该半导体芯片位于模具内的规定部位，在模具内填充固化性树脂并使之固化的方法，即传递成形法(日文：トランスファ成形法)或压缩成形法。

在上述传递成形法或压缩成形法中，为了使模具和封装体的脱模变得容易，有时在模具的与硬化性树脂接触的面上配置脱模膜。

作为上述脱模膜，从其脱模性和模具顺应性良好的角度考虑，使用氟树脂膜、特别是ETFE膜。

近年来，大容量的NAND型闪存逐渐增多。其因为是将存储芯片层叠为多段，所以整体的厚度大。因此，用于制造该NAND型闪存的模具的型腔也逐渐变深。

在利用压缩成形法并使用脱模膜的情况下，在压缩成形的工作机制上，配置在模具表面的脱模膜暂时被拉伸，然后收缩，所以会存在脱模膜发生褶皱的问题。褶皱的问题随着模具的型腔加深而变得显著，根据情况，发生变皱的脱模膜陷入硬化性树脂中而无法脱模的现象。

对于该问题，在专利文献1中，为了除去膜中发生的褶皱，提出了具备特定结构的压缩成形用模具的压缩成形装置。

专利文献2中提出了作为半导体元件的制造中所用的脱模膜是132℃下的拉伸模量为10～24MPa，剥离力的最大值为0.8N/25mm以下的脱模膜。

另一方面，作为氟树脂膜的制造方法，通常使用将熔融的氟树脂用模头挤出，使其冷却、固化的熔融成形法。

在专利文献3中，提出了如下氟树脂膜的制造方法：使通过T型模挤出的熔融氟树脂与冷却辊接触，使其冷却固化后，进行卷取而得到平面膜，此时，将冷却辊的表面温度设定为80～140℃，且向该冷却辊上的膜喷射50～160℃的热风。根据该方法，可以在不损害氟树脂的优异性质的情况下，制造光学性质和平面性优异的氟树脂膜。

专利文献4中提出了包括下述工序的膜的制造方法：将包含乙烯单元、四氟乙烯单元和特定的(氟烷基)乙烯单元的共聚物加热到熔点以上的熔融工序；将熔融的共聚物成形为膜的成形工序；在将所得的膜保持在共聚物的结晶化温度的状态下，使其与比上述膜的玻璃化温度高10℃的温度以下的冷却辊接触而进行急冷的冷却工序；以及将急冷后的膜回收的回收工序。根据该方法，可以制造由X射线衍射测定求出的结晶度在68％以下的膜，该膜的透明性和耐热性优异。

在专利文献3～4中，没有进行将所得的氟树脂膜作为上述压缩成形法中的脱模膜使用的研究。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2013-180461号公报

专利文献2：国际公开第2013/115187号