[发明专利]乙烯-四氟乙烯类共聚物膜及其制造方法

权利要求书

1.一种膜，其为通过如下所述的膜的制造方法而得的乙烯-四氟乙烯类共聚物膜：将乙烯-四氟乙烯类共聚物的熔融物从挤出成形装置中以膜状挤出，使其与表面温度为高于所述共聚物的结晶化温度且低于所述共聚物的熔点的第一冷却单元接触规定时间，形成为一次冷却物，接着，将所述一次冷却物从所述第一冷却单元剥离，自剥离时刻起在规定时间以内，利用第二冷却单元冷却至(所述共聚物的熔点-120℃)以上且在(所述共聚物的熔点-80℃)以下的温度，

其特征在于，根据由X射线衍射法测定所得的衍射强度曲线中的2θ=20°附近的峰面积S₂₀、2θ=19°附近的峰面积S₁₉和2θ=17°附近的峰面积S₁₇，由下式(1)求出的结晶度为55～70％，由下式(2)求出的准晶层的比例为10～20％，

结晶度(％)=(S₁₉+S₂₀)/(S₁₇+S₁₉+S₂₀)×100 ……(1)，

准晶层的比例(％)=S₂₀/(S₁₇+S₁₉+S₂₀)×100 ……(2)。

2.一种膜，其特征在于，由下述ETFE(A)和下述ETFE(B)的质量比为80/20～95/5的混合物构成，

ETFE(A)：具有四氟乙烯单元和乙烯单元、以及基于四氟乙烯和乙烯以外的单体的第三单元，所述第三单元是基于由式X(CF₂)_nCY=CH₂表示的氟代烷基乙烯的单元，式中，X、Y分别独立地为氢原子或氟原子，n为4～8的整数，所述四氟乙烯单元和所述乙烯单元的摩尔比为45/55～65/35，所述第三单元相对于所述四氟乙烯单元和所述乙烯单元的合计的比例为0.5～1.5摩尔％的乙烯-四氟乙烯类共聚物；

ETFE(B)：具有四氟乙烯单元和乙烯单元、以及基于四氟乙烯和乙烯以外的单体的第三单元，所述第三单元是基于由式X(CF₂)_nCY=CH₂表示的氟代烷基乙烯的单元，式中，X、Y分别独立地为氢原子或氟原子，n为4～8的整数，所述四氟乙烯单元和所述乙烯单元的摩尔比为45/55～65/35，所述第三单元相对于所述四氟乙烯单元和所述乙烯单元的合计的比例为3.5～6摩尔％的乙烯-四氟乙烯类共聚物。

3.如权利要求2所述的膜，其特征在于，根据由X射线衍射法测定所得的衍射强度曲线中的2θ=20°附近的峰面积S₂₀、2θ=19°附近的峰面积S₁₉和2θ=17°附近的峰面积S₁₇，由下式(1)求出的结晶度为55～70％，由下式(2)求出的准晶层的比例为10～20％，

结晶度(％)=(S₁₉+S₂₀)/(S₁₇+S₁₉+S₂₀)×100 ……(1)，

准晶层的比例(％)=S₂₀/(S₁₇+S₁₉+S₂₀)×100 ……(2)。

4.如权利要求1～3中任一项所述的膜，其特征在于，其为半导体元件制造用脱模膜。

5.一种膜的制造方法，其特征在于，将乙烯-四氟乙烯类共聚物的熔融物从挤出成形装置中以膜状挤出，使其与表面温度为高于所述共聚物的结晶化温度且低于所述共聚物的熔点的第一冷却单元接触规定时间，形成为一次冷却物，接着，将所述一次冷却物从所述第一冷却单元剥离，自剥离时刻起在规定时间以内，利用第二冷却单元冷却至(所述共聚物的熔点-120℃)以上且在(所述共聚物的熔点-80℃)以下的温度。

6.如权利要求5所述的膜的制造方法，其特征在于，与所述第一冷却单元接触的时间为3～20秒。