[发明专利]半导体装置

说明书

具备：第一绝缘树脂部(7)，形成于引线框架(2)的安装面侧；第二绝缘树脂部(8)，形成于引线框架(2)的散热面侧；以及散热器(50)，被固定到第二绝缘树脂部(8)的散热面，第二绝缘树脂部(8)具有形成于薄型成形部(8b)的端部的第二边缘部(8a)，第一绝缘树脂部(7)具有覆盖第二边缘部(8a)的第一边缘部(7a)，第二边缘部(8a)的外周面部具备与引线框架(2)及第一边缘部(7a)连接的第一端部(T1)、与散热器(50)连接的第二端部(T2)、以及形成于第一端部(T1)与第二端部(T2)之间的至少一个弯曲部(R1)。

技术领域

本发明涉及树脂模制型的半导体装置。

背景技术

关于电力用等的半导体装置，在将IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片、LSI(LargeScale Integrated Circuit，大规模集成电路)芯片等半导体元件向外部端子用引线框架装片(die-bonded)之后，在导线焊接工序中通过钎焊与导线布线、或者铜板、铜合金板等内引线电连接，进行与外部的信号的输入输出。

另外，关于树脂模制型的半导体装置，通过传递成形，用绝缘树脂对引线框架的安装有半导体元件的一侧的面(安装面)和其相反侧的散热面进行密封。特别地，电力用的半导体装置在内部具备高发热的半导体元件，所以在密封的绝缘树脂中要求高热传导性。另外，提出了在模塑密封工序中，用热传导率是3W/m·K～10W/m·K的高散热传导性的树脂对散热面侧进行密封，用低应力树脂等对安装面侧进行密封的半导体装置。

在此，通过用安装面侧的树脂和散热面侧的树脂这2种树脂进行成形，存在2种树脂的界面。由于电场易于集中到该界面并且密接性较差而剥离，存在绝缘性降低这样的课题。

为了解决所述课题，有下述的专利文献1公开的技术。专利文献1的半导体装置具备：引线框架，是具有第1及第2主面并具有图案形状的板状，并且在周围具有外部端子；半导体元件，被固定到第1主面上；散热器，以在与第2主面之间隔开间隙而相向的方式设置；以及密封树脂，对所述半导体元件、所述引线框架及所述散热器进行密封，其特征在于，所述密封树脂具有一次密封树脂、和热传导性比该一次密封树脂优良的二次密封树脂，所述二次密封树脂具有：与所述第2主面密接而填充所述引线框架和所述散热器的间隙的部分；以及突出部，与该部分一体地连结，并且贯通按照所述图案形状附随的所述引线框架的空隙，向所述第1主面侧壁状地突出，所述一次密封树脂与所述第1主面密接、并且埋入所述半导体元件，并且与所述突出部密接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-153572号公报

发明内容

在所述专利文献1中，具有隔着空隙相邻的引线框架的部分的相互之间的、沿着一次密封树脂和二次密封树脂的界面的沿面距离变长，这些引线框架的部分的绝缘性能提高，耐电压提高这样的效果。

然而，在所述专利文献1中，未考虑沿着一次密封树脂和二次密封树脂的界面的、引线框架与散热器之间的沿面距离。

本发明是为了解决所述课题而完成的，其目的在于提供一种比以往更延长引线框架与散热器之间的沿面距离，提高绝缘性能的半导体装置。

本发明所涉及的半导体装置具备：引线框架，安装有半导体元件；第一绝缘树脂部，形成于所述引线框架的安装有所述半导体元件的安装面侧；第二绝缘树脂部，形成于所述引线框架的与安装面相反的一侧的散热面侧；以及散热器，被固定到所述第二绝缘树脂部的散热面，

所述第二绝缘树脂部具有：薄型成形部，与所述引线框架密接；以及第二边缘部，形成于所述薄型成形部的端部，