[发明专利]铝合金溅射靶材

说明书

本发明涉及一种铝合金溅射靶材，其含有超过6原子％、17原子％以下的Cu，剩余部分包含Al及不可避免的杂质。根据本发明可提供一种有助于成膜速率的提高，且靶材的制造性优异的铝合金溅射靶材。

技术领域

本发明涉及一种用于电极或绝缘膜等的形成的溅射靶材(以下也称为“靶材”)，详细而言，本发明涉及一种用于液晶显示器、有机电致发光(OEL：Organic Electro-Luminescence)显示器等显示装置或触摸屏等输入装置所使用的电极形成的溅射靶材。

背景技术

铝合金因电阻率低、加工容易等理由而广泛应用于液晶显示器等显示装置的领域，且用于配线膜、电极膜或反射电极膜等的材料中。

例如，有源矩阵(active matrix)型的液晶显示器具备作为开关元件的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)，且通常在其配线材料中使用纯Al薄膜或Al-Nd合金等各种铝合金薄膜。

铝合金薄膜的形成中通常采用使用溅射靶材的溅射法。

溅射法具有可形成与靶材为相同组成的薄膜这一优点。特别是，利用溅射法而成膜的铝合金薄膜可使在平衡状态下不固溶的合金元素固溶，从而发挥作为薄膜的优异性能，因此，溅射法为在工业上有效的薄膜制作方法，且正推进开发作为其原料的溅射靶材。

近年来，以提高铝合金薄膜的生产性为目的，对使成膜速率较之前更高速化进行了研究，例如，提出有专利文献1及专利文献2的方法。专利文献1中公开了一种溅射靶材，其特征在于，包含铝或铝合金，且在其溅射面利用X射线衍射法所测定的(111)结晶方位含有率为20％以上。专利文献1的实施例中，在对Al添加Si而成的Al-Si系合金中，通过将结晶方位设为(111)面而验证了成膜速率的提高。

另外，专利文献2中公开了一种以含有Ta为特征的铝基合金溅射靶材。专利文献2的实施例中示出了一种对Al添加1.5原子％的Ta，且使成膜速率相对于纯Al而成为1.6倍以上的Al-Ta合金。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开平6-128737号公报

专利文献2：日本专利特开2012-224942号公报

发明内容

发明所要解决的问题

然而，关于专利文献1所记载的在铝或铝合金中将(111)结晶方位含有率设为20％以上的方法，就生产性的观点而言要求进一步改善成膜速率。

另外，关于专利文献2所记载的含有Ta的铝合金溅射靶材，存在若添加1原子％以上的Ta则会导致在喷射成形时喷嘴的阻塞，靶材制造性下降之虞。因此，若考虑靶材的制造性，则难以进一步提高成膜速率。

因此，本发明的目的在于提供一种有助于成膜速率的提高，且靶材的制造性优异的铝合金溅射靶材。

解决问题的技术手段

之前以来，对于Cu的成膜速率的提高作用一直未受到关注，但本发明人等人发现，相较于含有Ta的铝合金溅射靶材，以超过6原子％、17原子％以下的高添加量添加有Cu的铝合金溅射靶材具有更高的成膜速率，同时兼具优异的制造性，从而完成了本发明。

即，本发明为以下的[1]～[9]所述者。

[1]一种铝合金溅射靶材，其含有超过6原子％、17原子％以下的Cu，剩余部分包含Al及不可避免的杂质。

[2]根据[1]所记载的铝合金溅射靶材，其还含有0.1原子％～5.5原子％的稀土类元素。