[发明专利]安装装置和安装方法有效

专利信息
申请号: 201780032768.9 申请日: 2017-03-21
公开(公告)号: CN109314065B 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 寺田胜美;真下祐树 申请(专利权)人: 东丽工程株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H05K13/04;H05K13/08
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于靖帅;乔婉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 安装 装置 方法
【说明书】:

提供安装装置和安装方法,在将半导体元件等被接合物层叠的安装装置中,能够不受气氛温度的影响而对下层和上层的位置偏移信息进行测量从而对层叠位置进行修正。具体而言,提供安装装置和安装方法,该安装装置具有:保持载台,其对与最下层相对应的被接合物进行保持;压接头,其对要依次层叠于最下层的被接合物进行保持;下层用识别单元,其对标记于下层的被接合物的对位标记进行识别;以及上层用识别单元,其对标记于上层的被接合部的对位标记进行识别,该安装装置具有控制部,该控制部具有如下的功能:利用所述下层用识别单元对依次层叠于最下层的被接合物的安装后的对位精度进行测量;以及对设置于所述保持载台的基准标记进行图像识别,根据基准标记的图像识别结果,对下层用识别单元的位置偏移进行测量,从而对依次层叠被接合物的位置进行校正。

技术领域

本发明涉及三维安装中的安装装置和安装方法,该三维安装将半导体元件等被接合物在上下方向上依次层叠而进行接合。

背景技术

作为半导体元件的三维安装方法,有在半导体芯片部件(以下称为芯片)上依次层叠芯片的COC方法(Chip on Chip:芯片上芯片);在晶片上依次层叠芯片的COW方法(Chipon Wafer:晶片上芯片);在晶片上依次层叠晶片的WOW方法(Wafer on Wafer:晶片上晶片)等。在任意的三维安装方法中,均需要在使上层的被接合物的电极的位置相对于下层的被接合物的电极(包含凸块)的位置对齐的状态下依次对上层被接合物进行接合(例如专利文献1)。

在这样的三维安装中,以往在依次对上层被接合物进行层叠时,利用识别单元(例如CCD相机)从上方对下层的被接合物的位置(例如其电极的位置或对准标记的位置)进行识别,以所识别出的下层的被接合物的位置为基准而使要层叠于其上的上层被接合物的位置对齐,利用识别单元从上方对已层叠的上层被接合物的位置进行识别,以所识别出的被接合物的位置为基准,使要层叠于其上的上层被接合物的位置对齐,重复进行所需次数的这些动作,从而依次进行要层叠的上层被接合物的对位。

对于这样的层叠方法,为了使上层被接合物相对于下层的被接合物的电极精度良好地层叠,公知有如下的方法:对下层的电极的位置进行存储,对接合了上层被接合物之后的来自上层被接合物的上方的电极的位置信息与所述的下层的电极的位置信息进行比较,将其偏移量作为偏置值而对接下来要层叠的上层被接合物的层叠位置进行修正(例如专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2009-110995号公报

专利文献2:日本特开2014-17471号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在利用上述那样的方法对上层被接合物进行层叠的情况下,在凸块的位置信息的识别中使用由在上下两个视野具有识别单元的一体型的壳体构成的双视野相机。双视野相机插入至被接合物彼此之间,分别利用上侧的视野的识别相机对上侧的被接合物的对位标记进行图像识别,利用下侧的视野的识别相机对下侧的被接合物的对位标记进行图像识别。

如专利文献2所公开的那样,使用双视野相机的下侧的视野的识别相机对下层的电极的位置进行存储,在接合了上层被接合物之后对上层的电极的位置进行测量,对下层的电极的位置信息与上层的电极的位置信息进行比较,求出电极的偏移,在上述情况下存在如下的问题:对双视野相机进行支承的壳体受到装置内的气氛温度的影响而无法准确地测量下层和上层的电极的偏移。

关于装置内的气氛温度,例如在TCB方法的情况下,采用使压接加热器的温度为280℃以上、使基盘保持载台的温度为100℃左右的温度设定。因此,双视野相机的壳体由于装置内的热的影响而慢慢发生热膨胀,上层的电极的位置要从对下层的电极的位置进行识别并存储时的坐标位置按照热膨胀的量加上伸长量,从而导致在电极的偏移的测量结果中产生误差。

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