[发明专利]半导体晶粒偏移补偿变化

说明书

提供了一种用于改进自动拾放装置、半导体设备放置过程的方法和系统。该方法包括自动执行移位测量，该移位测量有关于与半导体晶圆的多个半导体晶粒的原始放置的偏移，以进行处理。读取相关的移位测量值并将其存储入数据库中，该数据库包括先前测得的移位测量的先前读取的移位测量值。针对所有移位测量值执行特定的模型，并且确定用于处理的预测的移位测量值，该预测的移位测量值有关于与新半导体晶圆上的多个新半导体晶粒将来的偏移。将拾放装置的放置硬件置于多个位置，用于根据预测的移位测量值在新半导体晶圆上生成多个新半导体晶粒。

技术领域

本发明一般涉及集成电路，更具体地涉及用于集成电路的半导体材料的晶粒的数学建模、预测和调整放置的系统、方法和工具，以补偿晶粒放置中随机产生的移位。

背景技术

用于大规模生产集成电路封装的现代工业工序通常包括将半导体晶粒排列成晶圆状的模式，然后使用成型树脂的液化形态同时制造上千个封装件，以便后续用于随后的电子组装阶段。这些集成电路生产工序可依赖高度精确的晶粒放置要求。然而，使用目前可行的技术可能达不到这样的精确水平。显然，目前的工艺容易在晶粒放置中随机产生移位，这可能导致晶粒错位并且因此增加集成电路产品中的不良率。

现有可行的补偿方法是有限的。这些方法或限制于计算晶粒与晶粒理论位置之间的平均偏移量，或限制于使用线性回归模型以便试图调整不同晶圆区域中放置的变化。在某些情况下，对晶粒或晶圆的调整是通过在产品调整列表中插入所需的值而人工完成的。

现有技术的一些局限可包括缺乏局部的调整，由于基材形状、模具沉积、粘合剂厚度变化、晶粒形状和尺寸的细节以及许多其他原因，不能抑制局部的变化。现有模型和技术的局限可能是靠近晶圆边缘容易失效，在那里可能发生回流效应，并且由于不同放置模块(即手和/或轴)之间的变化，当前的调整方法和系统可能需要生成并叠加多个模型，这引入了额外的误差。

由此，一种用于补偿晶粒偏移变化的改进的系统、方法和工具在本领域中将深受欢迎。

发明内容

本发明的第一个方面提供一种自动化半导体设备放置改进的方法，包括：自动执行，其中由拾放装置的处理器自动执行移位测量，移位测量有关于用于处理的半导体晶圆的多个半导体晶粒的原始放置的偏移；读取，其中由处理器读取关于移位测量的移位测量值；存储，其中由处理器将移位测量值存储至数据库中，其中数据库包括有关于先前测得的移位测量数值的多个先前读取的移位测量值，先前测得的移位测量数值是针对用于处理的先前多个半导体晶圆的先前多个半导体晶粒的原始放置的偏移；执行，其中由处理器执行关于移位测量值以及多个先前读取的移位测量值的特定模型；确定，其中由处理器基于执行的结果确定预测的移位测量值，预测的移位测量值有关于用于处理的新半导体晶圆上的多个新半导体晶粒将来的偏移；以及自动放置，其中由处理器将拾放装置的放置硬件自动放置在多个位置，以根据预测的移位测量值在新半导体晶圆上生成多个新半导体晶粒。

本发明的第二个方面提供了一种计算机程序产品，包括存储计算机可读程序代码的计算机可读硬件存储设备，该计算机可读程序代码包括算法，当由拾放装置的处理器执行该算法时实施自动化半导体设备放置改进的方法，该方法包括：自动执行，其中由处理器自动执行移位测量，移位测量有关于用于处理的半导体晶圆的多个半导体晶粒的原始放置的偏移；读取，其中由处理器读取关于移位测量的移位测量值；存储，其中由处理器将移位测量值存储至数据库中，其中数据库包括有关于先前测得的移位测量数值的多个先前读取的移位测量值，先前测得的移位测量数值是针对用于处理的先前多个半导体晶圆的先前多个半导体晶粒的原始放置的偏移；执行，其中由处理器执行关于移位测量值以及多个先前读取的移位测量值的特定模型；确定，其中由处理器基于执行的结果确定预测的移位测量值，预测的移位测量值有关于用于处理的新半导体晶圆上的多个新半导体晶粒将来的偏移；以及自动放置，其中由处理器将拾放装置的放置硬件自动放置在多个位置，以根据预测的移位测量值在新半导体晶圆上生成多个新半导体晶粒。