[发明专利]用于清洁塑料表面的方法

说明书

本发明涉及一种用于清洁塑料表面、尤其用于除去所述塑料表面的金属污染和/或颗粒的方法，其中，所述方法的特征在于以下步骤：a)以去离子水冲洗所述塑料表面，b)以电解水冲洗所述塑料表面，和c)以去离子水冲洗所述塑料表面。

技术领域

本发明涉及一种用于清洁塑料表面、尤其用于除去所述塑料表面的金属污染和/或颗粒的方法。

背景技术

目前处理器和集成电路的制造以多个不同的、相继实施的工作步骤在硅晶片上实现，在所述工作步骤中晶片被涂覆以不同的材料或者被曝光或者所施加的层的部分通过不同的蚀刻方法或其他方法又被移除。在这些各个工作步骤之间，部分涂覆的晶片必须从一个加工机输送给另外的机器。在此，非常重要的是，不损坏非常敏感的、非常精细地(filigran)涂覆的表面。所施加的电印制导线尤其必须保持相对彼此分开，以便确保要制造的构件、例如处理器的功能性。

为了存放并且为了输送，将部分涂覆的晶片存放在所谓的FOUP(Front OpeningUnified Pod，前开式晶片传送盒)中。该FOUP由塑料、例如聚碳酸酯或聚醚醚酮(PEEK)组成。在使用已涂覆的硅晶片时可能使材料粘附在容器的塑料上并且由此导致污染。如果在下面的工作步骤中将另外的晶片存放在容器中，那么可能的是，以该方式带来的金属污染和/或颗粒传递到新的已涂覆的晶片上，并且这样例如引起电导线的短路或其他损坏。因此，这种污染可能导致巨大的损失并且产生不起作用的构件。因此需要清洁塑料表面，以便避免硅晶片的污染。当然，相应的清洁方法也适用于另外的应用示例，在所述应用示例中塑料面要被清洁并且尤其要清除金属污染。目前存放并输送硅晶片的塑料容器主要通过去离子水处理，该去离子水也被称为蒸馏水。但是这尤其由于集成电路的涂层和所制造的结构的逐步发展的微型化而经常不再够用，因为小的和微小的污染已经导致集成电路的功能失效，该集成电路因此是废品并且不能使用。因此，本发明的任务是，发展用于清洁塑料表面的方法，使得所述方法可以简单地、成本有利地和快速地实施，并且改善尤其用于金属污染的清洁作用。

发明内容

本发明通过用于清洁塑料表面、尤其用于除去所述塑料表面的金属污染和/或颗粒的方法解决所提出的任务，其中，所述方法具有下列步骤：

a)以去离子水冲洗塑料表面，

b)以电解水冲洗塑料表面，并且

c)以去离子水冲洗塑料表面。

在本发明的意义上，概念“冲洗”理解为，将相应液体施加到待清洁的塑料表面上。这例如可以通过将相应液体喷淋到表面上或者将塑料表面浸入到相应液体中来进行。当然，也能够使液体流过塑料表面。

因此，在第一方法步骤中，以去离子水冲洗待清洁的塑料表面，该去离子水也被称为蒸馏水。由此首先除去粘附或贴靠在表面上的粗大颗粒。特别有利地，将离子水喷到待清洁的塑料表面上。

在第二方法步骤中，以电解水冲洗塑料表面。电解水这样制造，其方式是，例如给去离子水掺入电解质，并且随后引导通过电解池。通过使用电解水使粘附在塑料表面上的金属的至少一部分溶解并且以该方式从表面除去。优选地，粘附的金属被完全除去。

尤其为了除去在待清洁的塑料表面上的电解水的残留物，在第三方法步骤中再次以去离子水冲洗表面。为此有利地使用所谓的“漂洗清洁过程”，在该漂洗清洁过程中去离子水流过待清洁的表面。

相比于由现有技术已知的仅通过使用去离子水进行清洁的方法，根据本发明的方法利用以下知识：金属在水中的溶解度尤其取决于pH值并且取决于水的氧化还原电势。因此，金属在电解水中的溶解度通常高于在去离子水中的溶解度，从而通过附加的以电解水冲洗的方法步骤可以比仅以去离子水清洁的情况更好地除去金属污染。

有利地，以电解水冲洗包括以阳极水冲洗，该阳极水具有小于7的pH值。因此，阳极水是酸性的并且可以溶解一系列金属。