[发明专利]磁传感器有效
| 申请号: | 201780032067.5 | 申请日: | 2017-05-22 |
| 公开(公告)号: | CN109154640B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
| 发明(设计)人: | 潮田健太郎;龟野诚;林承彬;大川秀一 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
| 主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/02;H01L43/08 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;尹明花 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传感器 | ||
[技术问题]提高将四个磁敏元件桥接而成的磁传感器的检测精度。[解决方案]具备设置于传感器基板(20)的表面的磁性体层(41~43)和桥接的磁敏元件(R1~R4)。磁性体层(41)包含主区域(M1)和随着远离主区域(M1)而宽度变窄的收敛区域(S1),磁性体层(42)包含主区域(M2)和随着远离主区域(M2)而宽度变窄的收敛区域(S5、S7),磁性体层(43)包含主区域(M3)和随着远离主区域(M3)而宽度变窄的收敛区域(S6、S8)。收敛区域(S1~S4)的端部和收敛区域(S5~S8)的端部分别隔着间隙(G1~G4)而相对,磁敏元件(R1~R4)分别配置于由间隙(G1~G4)形成的磁路上。根据本发明,因为由在各磁敏元件中流通的电流而产生的磁通不对其它磁敏元件带来影响,所以检测精度得到了提高。
技术领域
本发明涉及磁传感器,特别是涉及将四个磁敏元件桥接而成的磁传感器。
背景技术
使用磁敏元件的磁传感器被广泛用于电流计或磁编码器等。如专利文献1所记载,往往在磁传感器上设置用于在磁敏元件上收集磁通的外部磁性体。但是,在专利文献1所记载的磁传感器中,应检测的磁通不能充分集中在磁敏元件上,因此,难以提高检测精度。
另一方面,专利文献2所记载的磁传感器中,在形成磁敏元件的传感器基板上设置有磁性体层,由此,使应检测的磁通集中于磁敏元件。在专利文献2所记载的磁传感器中,使用三个磁性体层形成两个间隙,通过在这两个间隙分别配置两个磁敏元件,构成由合计四个磁敏元件实现的电桥电路。
[现有技术文献]
专利文献
专利文献1:日本特许第5500785号公报
专利文献2:日本特许第4964301号公报
发明内容
[发明所要解决的技术问题]
但是,在专利文献2所记载的磁传感器中,因为由磁性体层形成的间隙的数量是两个,所以将构成电桥电路的两个磁敏元件配置于同一间隙内。流经这两个磁敏元件的电流因为处于一方减少时另一方增加的关系,所以由流经一方磁敏元件的电流产生的磁通对另一方磁敏元件带来不能忽视的影响,其结果是检测精度可能会降低。
因此,本发明的目的在于,提供一种将四个磁敏元件桥接而成的经改良的磁传感器。
[用于解决问题的技术方案]
本发明提供一种磁传感器,其特征在于,具备:传感器基板;设置于传感器基板上的第一磁性体层、第二磁性体层及第三磁性体层;和桥接的第一磁敏元件、第二磁敏元件、第三磁敏元件及第四磁敏元件,其中,所述第一磁性体层包含:第一主区域;和随着远离所述第一主区域而宽度变窄的第一收敛区域、第二收敛区域、第三收敛区域及第四收敛区域,所述第二磁性体层包含:第二主区域;和随着远离所述第二主区域而宽度变窄的第五收敛区域及第七收敛区域,所述第三磁性体层包含:第三主区域;和随着远离所述第三主区域而宽度变窄的第六收敛区域及第八收敛区域,所述第一收敛区域、所述第二收敛区域、所述第三收敛区域及所述第四收敛区域的端部与所述第五收敛区域、所述第六收敛区域、所述第七收敛区域及所述第八收敛区域的端部分别隔着第一间隙、第二间隙、第三间隙及第四间隙而相对,所述第一磁敏元件、所述第二磁敏元件、所述第三磁敏元件及所述第四磁敏元件分别配置于由所述第一间隙、所述第二间隙、所述第三间隙及所述第四间隙形成的磁路上。
根据本发明,因为将四个磁敏元件配置在利用互不相同的间隙形成的磁路上,所以由流经各磁敏元件的电流产生的磁通不会对其它磁敏元件带来影响。由此,能够提供检测精度更高的磁传感器。
优选的是,本发明的磁传感器还具备:以覆盖所述第一主区域的方式设置于所述传感器基板上的第一外部磁性体。据此,能够提高在相对于传感器基板的垂直方向上的磁通的选择性。
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