[发明专利]脱模膜有效
申请号: | 201780031010.3 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN109153239B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 石岛英明;柳田裕贵 | 申请(专利权)人: | 昭和电工材料株式会社 |
主分类号: | B32B27/00 | 分类号: | B32B27/00;C09J133/00;C09J183/04;C09J201/00;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/28 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 脱模 | ||
一种脱模膜,其包含支撑体以及电磁波屏蔽片,所述支撑体包含基材和配置于所述基材上的粘着层,所述电磁波屏蔽片配置于所述支撑体的所述粘着层上,并且所述粘着层与所述电磁波屏蔽片之间的剥离力为0.10N/50mm~2.00N/50mm。
技术领域
本发明涉及脱模膜。
背景技术
近年来,随着电子设备的小型化发展,要求半导体元件表面的高密度搭载技术的进一步提高。因此,近年来,采用多段层叠有多个半导体元件的、所谓的堆栈封装型的半导体装置。在这样的堆栈封装型的半导体装置中,半导体元件以集成的状态配置,因此可能产生由外部噪声引起的问题(电磁波障碍)。这样的噪声问题随着电子设备的数字化、高速化和高频化发展而变得显著。因此,为了抑制由噪声带来的影响,提出了将用于屏蔽电磁波的电磁波屏蔽片形成于对半导体元件进行密封的密封材上的技术(例如,参照专利文献1)。
作为电磁波屏蔽片的形成方法,例如已知专利文献2中记载的半导体装置的制造方法。该制造方法中,在通过使用了上模和下模的传递成型并利用密封材对半导体元件进行密封的工序中,在配置于上模的离型膜(release film)(载体膜)涂布用于形成电磁波屏蔽片的材料,将该材料转印至密封材上并使其固化,从而形成电磁波屏蔽片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4133637号公报
专利文献2:日本特开2007-287937号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而,在专利文献2所记载的方法中,在利用密封材对半导体装置进行密封的工序时,每次需要将用于形成电磁波屏蔽片的材料涂布于载体膜的操作,因此从生产效率的观点考虑有改善的余地。
本发明是为了解决上述课题而完成的发明,其目的在于提供一种能够实现具有电磁波屏蔽片的半导体装置的生产效率的提高的脱模膜。
用于解决课题的方法
用于解决上述课题的方法中包含以下的实施方式。
<1>一种脱模膜,其包含支撑体以及电磁波屏蔽片,上述支撑体包含基材和配置于上述基材上的粘着层,上述电磁波屏蔽片配置于上述支撑体的上述粘着层上,并且上述粘着层与上述电磁波屏蔽片之间的剥离力为0.10N/50mm~2.00N/50mm。
<2>根据<1>所述的脱模膜,上述电磁波屏蔽片的厚度为0.01μm~50μm。
<3>根据<1>或<2>所述的脱模膜,上述粘着层的厚度为1μm~20μm。
<4>根据<1>~<3>中任一项所述的脱模膜,上述粘着层包含选自由有机硅系粘着剂和丙烯酸系粘着剂组成的组中的至少一种。
<5>根据权利要求1~4中任一项所述的脱模膜,其用于半导体装置的制造,上述半导体装置的制造包含将上述电磁波屏蔽片转印至对半导体元件进行密封的密封材的工序。
发明效果
根据本发明,可提供能够实现具有电磁波屏蔽片的半导体装置的生产效率的提高的脱模膜。
附图说明
图1为表示本实施方式的脱模膜的结构的一例的概略截面图。
图2为表示本实施方式的脱模膜的结构的一例的概略平面图。
具体实施方式
以下,对用于实施本发明的方式进行说明。但是,本发明不限定于以下的实施方式。在以下的实施方式中,其构成要素(也包含要素步骤等)除了特别明示的情况以外都不是必须的。关于数值及其范围也同样,并不限制本发明。
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