[发明专利]多列型半导体装置用布线构件及其制造方法

权利要求书

1.一种多列型半导体装置用布线构件，其特征在于，

该多列型半导体装置用布线构件是半导体装置用布线构件呈矩阵状排列而成的，该半导体装置用布线构件在树脂层的一侧的面上的规定部位以使下表面暴露于该树脂层的一侧的面的状态形成有成为内部端子的第1镀层，并形成有与所述第1镀层相连接的成为布线部的镀层，并且在所述成为布线部的镀层之上以使上表面自所述树脂层的另一侧的面暴露的状态在该成为布线部的镀层的区域内局部地形成有成为外部端子的第2镀层，构成所述内部端子、所述布线部以及所述外部端子的镀层的层叠体的侧面形状形成为大致L字形状或大致T字形状，

在所述树脂层的一侧的面上的、各个所述半导体装置用布线构件呈矩阵状排列而成的半导体装置用布线构件的集合体的外周区域形成有金属框部，该金属框部以其上表面的整个区域与该树脂层接触的状态形成。

2.根据权利要求1所述的多列型半导体装置用布线构件，其特征在于，

所述成为布线部的镀层以与所述第1镀层相同的形状形成在该第1镀层之上。

3.根据权利要求1或2所述的多列型半导体装置用布线构件，其特征在于，

在所述第1镀层之上形成的所述成为布线部的镀层的上表面是粗化面。

4.根据权利要求1或2所述的多列型半导体装置用布线构件，其特征在于，

所述第1镀层所暴露的所述树脂层的一侧的面是粗糙面。

5.一种多列型半导体装置用布线构件的制造方法，该多列型半导体装置用布线构件是半导体装置用布线构件呈矩阵状排列而成的，该多列型半导体装置用布线构件的制造方法的特征在于，包括以下工序：

在金属板的另一侧的面形成具有以图案A形成的开口部的第1抗蚀剂掩模，且在所述金属板的一侧的面上形成在半导体装置用布线构件的集合体的外周区域具有自该半导体装置用布线构件的集合体的边缘部起规定宽度的开口部的第1抗蚀剂掩模；

在以所述图案A形成的开口部形成成为内部端子的第1镀层和与所述第1镀层相连接的成为布线部的镀层，且在该开口部形成成为金属框部形成用抗蚀剂的镀层；

剥离形成于所述金属板的两面的所述第1抗蚀剂掩模；

在所述金属板的另一侧的面形成具有以图案B形成的开口部的第2抗蚀剂掩模，且在所述金属板的一侧形成覆盖整面的第2抗蚀剂掩模，该具有以图案B形成的开口部的第2抗蚀剂掩模在所述成为布线部的镀层的区域内使所述成为布线部的镀层的一部分暴露；

在以所述图案B形成的开口部形成成为外部端子的第2镀层；

剥离在所述金属板的两面形成的所述第2抗蚀剂掩模；

在所述金属板的上表面中的整个暴露区域和所述成为布线部的镀层的未形成有所述第2镀层的部位之上以使该第2镀层的上表面暴露的方式形成树脂层；以及

将所述金属板的未被在所述半导体装置用布线构件的集合体的外周区域形成的所述成为金属框部形成用抗蚀剂的镀层覆盖的部位的金属去除。

6.根据权利要求5所述的多列型半导体装置用布线构件的制造方法，其特征在于，

所述成为布线部的镀层以与所述第1镀层相同的形状形成在该第1镀层之上。

7.根据权利要求5或6所述的多列型半导体装置用布线构件的制造方法，其特征在于，

在形成所述成为布线部的镀层之后且在形成所述第2抗蚀剂掩模之前，对所述成为布线部的镀层的上表面实施粗化处理或使所述成为布线部的镀层形成为粗化镀层。

8.根据权利要求5所述的多列型半导体装置用布线构件的制造方法，其特征在于，

该多列型半导体装置用布线构件的制造方法包含以下工序：在剥离形成于所述金属板的两面的所述第1抗蚀剂掩模之后，将形成于所述金属板的所述成为布线部的镀层作为掩模对所述金属板表面进行粗化处理。