[发明专利]用于制造光电子组件的方法和光电子组件有效
| 申请号: | 201780030970.8 | 申请日: | 2017-05-16 | 
| 公开(公告)号: | CN109155326B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 | 
| 发明(设计)人: | 马蒂亚斯·克内尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/54 | 
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 | 
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 光电子 组件 方法 | ||
提出一种用于制造光电子组件(100)的方法,所述方法具有如下步骤:‑提供载体板(10),所述载体板包括玻璃;‑将转换层(2)施加到载体板(10)上,所述转换层包括发光转换材料;‑将至少两个光电子半导体芯片(3)在转换层的背离载体板(10)的一侧处施加到转换层上;和‑将包覆材料(40)引入到光电子半导体芯片(3)之间,所述包覆材料没有发光转换材料。此外,提出一种光电子组件。
技术领域
提出一种用于制造光电子组件的方法。此外,提出一种例如能够借助该方法制造的光电子组件。
背景技术
文献US 2015/0188000 A1描述一种用于制造光电子组件的方法以及一种光电子组件。
发明内容
本申请要求德国专利申请10 2016 208 489.5的优先权,其公开内容通过参考并入本文。
要实现的目的在于:提出一种用于制造光电子组件的方法,所述方法能够尤其成本适宜地执行。另一要实现的目的在于:提出一种光电子组件,借助所述光电子组件例如能够尤其均匀地产生白光。另一要实现的目的在于:提出一种光电子组件,所述光电子组件能够尤其成本适宜地制造。另一要实现的目的在于:提出一种尤其紧凑构造的光电子组件。
提出一种用于制造光电子组件的方法。光电子组件例如能够为发光二极管。此外可行的是:光电子组件为激光二极管。
根据至少一个实施方式,用于制造光电子组件的方法包括如下方法步骤,其中提供载体板,所述载体板包括玻璃。在此,载体板能够由玻璃构成或者包含玻璃。如果载体板除了玻璃之外包含其他材料,那么玻璃例如为基体材料,在所述基体材料中引入另外的材料。载体板在该情况下也能够大部分地借助玻璃形成,这就是说,于是,玻璃占载体板的重量份额例如至少为50%、尤其至少为70%。
载体板例如为盘,所述盘在两个正交的空间方向上的延伸比其在第三正交的空间方向的方向上大。例如,载体板具有10cm2或更大的面积以及200μm或更小的厚度。载体板能够具有至少10cm至最高50cm的棱边长度,使得载体板的面积还能够为直至2500cm2。于是,载体板的厚度在至少25μm和最高200μm之间。包括玻璃的载体板具体地特征能够在于其尤其均匀的厚度,其中厚度在整个载体板之上的波动能够小于或等于5μm。
根据至少一个实施方式,该方法包括如下步骤:其中将包括发光转换材料的转换层施加到载体板上。在此,转换层包含至少一种发光转换材料或由至少一种发光转换材料构成。转换层的发光转换材料例如为无机的或有机的发光材料,所述发光材料在用电磁辐射激发时发射更大波长的电磁辐射。例如,发光转换材料在用蓝光激发时发射黄光或淡绿黄光,使得由制成的组件在运行中能够发射白光或淡绿白光。
转换层除了发光转换材料之外能够包括其他材料,例如基体材料,将发光转换材料嵌入所述基体材料中。基体材料例如能够为硅树脂、环氧树脂或硅树脂-环氧树脂杂化材料。转换层例如具有至少10μm和最高100的厚度。
转换层能够大面积地或以分成多个区域的方式施加到载体板上,例如施加到载体板的上侧上。转换层在施加之后例如覆盖载体板的表面的至少50%、尤其至少70%,在所述表面上施加有转换层。转换层在此是面状的层,其中在平行于载体板的主延伸平面的平面中的横向扩展比转换层在垂直于载体板的主延伸平面的方向上的厚度大。此外,转换层的特征尤其在于尤其均匀的厚度,其中转换层在整个转换层之上的厚度的变化例如能够为小于10%、尤其小于5%。
根据方法的至少一个实施方式,将至少两个光电子半导体芯片在转换层的背离载体板的一侧处施加到转换层上。光电子半导体芯片例如为发光二极管芯片,所述发光二极管芯片在运行时产生光,尤其彩色光或UV辐射。发光二极管芯片安置到转换层上,使得发光二极管芯片的辐射穿透面分别邻接于转换层。此外可行的是:光电子半导体芯片中的至少一些是检测器芯片,即例如光电二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





