[发明专利]用于制造光电子组件的方法和光电子组件有效
| 申请号: | 201780030970.8 | 申请日: | 2017-05-16 | 
| 公开(公告)号: | CN109155326B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 | 
| 发明(设计)人: | 马蒂亚斯·克内尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/54 | 
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 | 
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 制造 光电子 组件 方法 | ||
1.一种用于制造光电子组件(100)的方法,所述方法具有如下步骤:
-提供载体板(10),所述载体板包括玻璃,
-将转换层(2)施加到所述载体板(10)上,所述转换层包括发光转换材料,
-将至少两个光电子半导体芯片(3)在所述转换层的背离所述载体板(10)的一侧处施加到所述转换层上,和
-将包覆材料(40)引入所述光电子半导体芯片(3)之间,所述包覆材料没有发光转换材料,其中所述半导体芯片(3)的背离所述载体板(10)的一侧能够保持未被所述包覆材料(40)覆盖,并且
-将电连接元件(7)引入各两个相邻的光电子半导体芯片(3)之间,所述电连接元件与所述光电子半导体芯片(3)的相应的联接部位(5)直接电接触并且将所述光电子半导体芯片(3)中的至少两个光电子半导体芯片彼此电连接,
其中
-所述转换层(2)具有至少两个区域(21,22),所述区域彼此间隔开,
-在施加所述至少两个光电子半导体芯片(3)时,将所述至少两个光电子半导体芯片(3)中的刚好一个光电子半导体芯片施加到所述转换层(2)的所述至少两个区域(21,22)中的每个区域上,和
-所述至少两个光电子半导体芯片(3)中的每个光电子半导体芯片完全地或基本上完全地遮盖所述转换层(2)的所述区域(21,22),在所述区域上施加有所述光电子半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中所述光电子半导体芯片(3)的侧面(3c)基本上保持未由所述转换层(2)覆盖。
3.根据权利要求1或2所述的方法,
其中在施加所述至少两个光电子半导体芯片(3)之后,所述转换层(2)具有基本上恒定的厚度。
4.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述转换层(2)促成在所述至少两个光电子半导体芯片(3)和所述载体板之间的附着。
5.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述包覆材料(40)在引入所述包覆材料(40)之后遮盖所述转换层(2)的所述至少两个区域(21,22)中的每个区域的侧面(2c)。
6.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述转换层(2)的所述至少两个区域(21,22)的不同的区域具有彼此不同的厚度和/或具有彼此不同的材料组成。
7.根据权利要求1或2所述的方法,
其中分离成多个光电子组件(100),其中每个所述光电子组件(100)包括所述至少两个光电子半导体芯片(3)中的两个或更多个光电子半导体芯片,所述载体板(10)的一部分,所述转换层(2)的一部分以及所述包覆材料(40)的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





