[发明专利]半导体装置

说明书

在半导体装置中，构成上臂电路的多个半导体芯片(120H、121H)在一对上臂板(14H、18H)之间并联连接。构成下臂电路的多个半导体芯片(120L、121L)在一对下臂板(14L、18L)之间并联连接。在各臂电路中，多个半导体芯片以与发射极电极和焊盘的排列方向正交的方式排列，焊盘相对于发射极电极配置在相同侧，信号端子在相同的方向上延伸设置。上臂电路和下臂电路的串联连接部(26)包括与对应的上臂板和下臂板(14L、18H)的侧面(14b、18b)相连的接头部(20)。在上臂板及下臂板中将半导体芯片并联连接的并联连接部(140H、140L、180H、180L)的电感分别比串联连接部的电感小。

关联申请的相互参照

本申请基于2016年5月20日提出的日本专利申请第2016－101245号主张优先权，这里引用其记载内容。

技术领域

本发明涉及两面散热构造的半导体装置。

背景技术

如在专利文献1中公开的那样，已知有构成上臂电路的上臂芯片被配置在一对上臂板之间、构成下臂的下臂芯片被配置在一对下臂板之间、上臂电路和下臂电路经由接头部连接而成的两面散热构造的半导体装置。在该半导体装置中，在上臂板之间配置有一个上臂芯片，在下臂板之间配置有一个下臂芯片。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－4941号公报

发明概要

在电力控制的用途下，有想要较大地得到输出(电流容量)的要求，例如有采用将半导体芯片并联连接的结构的情况。但是，如果采用并联连接构造，则电流偏差及栅极的异常振荡成为问题。

通过使电路配置对称，能够抑制电流偏差。在将例如2个上臂芯片并联连接在一对上臂板之间的情况下，可以考虑这样的结构，即：将上臂芯片在与接头部的延伸设置方向正交的方向上排列，并且，使信号端子的延伸设置方向为上臂芯片的排列方向且相互相反的方向。但是，由于同一臂的信号端子在相反的方向上延伸设置，所以信号端子与外部(设备)的连接构造变得复杂。

此外，通过在栅极串联地插入铁氧体磁珠或栅极电阻，能够抑制异常振荡。但是，根据这样的对策，开关损耗会增加。

发明内容

本发明的目的在于，提供能够使信号端子与外部的连接构造简化、并且抑制电流偏差及栅极的异常振荡的半导体装置。