[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

一对上臂板(14H、18H)及一对下臂板(14L、18L)，分别作为一对散热板；

作为半导体芯片的多个上臂芯片(120H、121H)以及与上述上臂芯片相同数量的下臂芯片(120L、121L)，上述半导体芯片形成有开关元件，并具有在一面及在板厚方向上与上述一面相反的背面上分别形成的主电极(13a、13b)、和在上述背面上在与上述主电极不同的位置形成的信号用的焊盘(13c)，上述一面的主电极电连接于上述一对散热板的一方，上述背面的主电极电连接于上述散热板的另一方，上述上臂芯片在与上述板厚方向正交的第1方向上排列配置，并且在上述一对上臂板之间相互并联连接，与上述一对上臂板一起构成上臂电路(10H)，上述下臂芯片在与上述板厚方向正交的第2方向上排列配置，并且在上述一对下臂板之间相互并联连接，与上述一对下臂板一起构成下臂电路(10L)；

信号端子(24)，电连接于对应的上述半导体芯片的焊盘；

接头部(20)，将上述一对上臂板中的配置在上述上臂芯片的低电位侧的上述上臂板与上述一对下臂板中的配置在上述下臂芯片的高电位侧的上述下臂板电连接；以及

封固树脂体(11)，将上述一对上臂板的至少一部分、上述一对下臂板的至少一部分、上述半导体芯片、上述接头部、以及上述信号端子的一部分一体地封固；

在与上述第1方向及上述板厚方向这两个方向正交的方向上，各上臂芯片的焊盘相对于上述背面的主电极分别形成在相同侧，并且，与各上臂芯片对应的上述信号端子分别在相同的方向上延伸设置；

在与上述第2方向及上述板厚方向这两个方向正交的方向上，各下臂芯片的焊盘相对于上述背面的主电极分别形成在相同侧，并且，与各下臂芯片对应的上述信号端子分别在相同的方向上延伸设置；

上述接头部与上述上臂板中的上述第1方向上的距上述下臂板较近侧的端部相连，并且，与上述下臂板中的上述第2方向上的距上述上臂板较近侧的端部相连；

在上述一对上臂板中将多个上述上臂芯片并联连接的并联连接部(140H、180H)的电感以及在上述一对下臂板中将多个上述下臂芯片并联连接的并联连接部(140L、180L)的电感分别小于包括上述接头部且将上述上臂电路与上述下臂电路串联连接的串联连接部(26)的电感。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1方向和上述第2方向是相同的方向；

全部的上述信号端子分别在相同的方向上延伸设置。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

并联连接的多个上述上臂芯片和并联连接的多个上述下臂芯片配置为一列。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述上臂板的并联连接部在上述第1方向上的长度以及上述下臂板的并联连接部在上述第2方向上的长度分别短于作为电流路径的上述串联连接部的路径长。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述上臂板的并联连接部在上述第1方向上的长度以及上述下臂板的并联连接部在上述第2方向上的长度分别短于上述接头部的延伸设置长度。

6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述上臂板的并联连接部的与上述第1方向正交的宽度以及上述下臂板的并联连接部的与上述第2方向正交的宽度分别宽于将低电位侧的上述上臂板与高电位侧的上述下臂板相连的上述接头部的与延伸设置方向正交的宽度。

7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述上臂板的并联连接部及上述下臂板的并联连接部的各自的厚度比上述接头部的与电流的流动方向正交的厚度厚。

8.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述接头部的表面为具有凹部及凸部的至少一方的凹凸形状。

9.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述接头部具有贯通孔(204)。