[发明专利]具有单独的存储器读取、编程和擦除的闪存存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

半导体材料衬底；

多个存储器单元，所述多个存储器单元形成在所述衬底上并且以行和列的阵列布置，其中所述存储器单元的所述行被布置成交替的偶数和奇数行；

每个所述存储器单元包括：

在所述衬底中的间隔开的源极区和漏极区，其中在所述衬底中的沟道区在所述源极区和所述漏极区之间延伸，

浮栅，所述浮栅设置在与所述源极区相邻的所述沟道区的第一部分上方并且与所述第一部分绝缘，和

控制栅，所述控制栅设置在与所述漏极区相邻的所述沟道区的第二部分上方并且与所述第二部分绝缘；

每行所述存储器单元包括源极线，所述源极线将用于所述行存储器单元的所有所述源极区电连接在一起；

每列所述存储器单元包括位线，所述位线将用于所述列存储器单元的所有所述漏极区电连接在一起；

每列所述存储器单元包括第一控制栅极线，所述第一控制栅极线将所述列存储器单元中的所述存储器单元的所有所述控制栅电连接在一起，所述列存储器单元位于所述存储器单元的奇数行中；并且

每列所述存储器单元包括第二控制栅极线，所述第二控制栅极线将所述列存储器单元中的所述存储器单元的所有所述控制栅电连接在一起，所述列存储器单元位于所述存储器单元的偶数行中。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中对于每个所述存储器单元，所述浮栅在所述源极区的一部分上方延伸并且与所述源极区的一部分绝缘。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述存储器单元以所述存储器单元对布置；并且

每个所述存储器单元对共用所述源极区中的一个和所述源极线中的一条。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中对于每个所述存储器单元，所述控制栅包括横向相邻于所述浮栅的第一部分以及沿所述浮栅向上延伸并且在所述浮栅上方延伸的第二部分。

5.一种存储器设备，包括：

半导体材料衬底；

多个存储器单元，所述多个存储器单元形成在所述衬底上并且以行和列的阵列布置；

每个所述存储器单元包括：

在所述衬底中的间隔开的源极区和漏极区，其中在所述衬底中的沟道区在所述源极区和所述漏极区之间延伸，

浮栅，所述浮栅设置在与所述源极区相邻的所述沟道区的第一部分上方并且与所述第一部分绝缘，

控制栅，所述控制栅设置在所述浮栅上方并且与所述浮栅绝缘，

选择栅，所述选择栅设置在与所述漏极区相邻的所述沟道区的第二部分上方并且与所述第二部分绝缘，和

擦除栅，所述擦除栅设置在所述源极区上方并且与所述源极区绝缘；

每行所述存储器单元包括源极线，所述源极线将用于所述行存储器单元的所有所述源极区电连接在一起；

每列所述存储器单元包括位线，所述位线将用于所述列存储器单元的所有所述漏极区电连接在一起；

每行所述存储器单元包括控制栅极线，所述控制栅极线将用于所述行存储器单元的所有所述控制栅电连接在一起；

每行所述存储器单元包括选择栅极线，所述选择栅极线将用于所述行存储器单元的所有所述选择栅电连接在一起；并且

每列所述存储器单元包括擦除栅极线，所述擦除栅极线将用于所述列存储器单元的所有所述擦除栅电连接在一起，并且所述擦除栅极线不与其他列的存储器单元中的擦除栅电连接。

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中对于每个所述存储器单元，所述浮栅在所述源极区的一部分上方延伸并且与所述源极区的一部分绝缘。

7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中：

所述存储器单元以所述存储器单元对布置；并且

每个所述存储器单元对共用所述源极区中的一个和所述源极线中的一条。

8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中每个所述存储器单元对共用所述擦除栅中的一个和所述擦除栅极线中的一条。