[发明专利]用于有机发光装置的光提取基板、光提取基板的制造方法以及包括光提取基板的有机发光装置在审
申请号: | 201780027617.4 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN109155372A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 李周映;尹洪;李银镐;崔银镐 | 申请(专利权)人: | 康宁公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;吴启超 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光提取 基板 有机发光装置 金属氧化物 基础基板 制造 金属氧化物材料 光提取效率 平坦化层 散射层 减小 | ||
本发明涉及用于有机发光装置的光提取基板、光提取基板的制造方法和包括光提取基板的有机发光装置,并且更具体地涉及:用于有机发光装置的光提取基板,能够显著减小待形成的平坦化层的厚度,由此使得能够改善所述有机发光装置的光提取效率;光提取基板的制造方法;以及包括光提取基板的有机发光装置。为此,本发明提供了:用于有机发光装置的光提取基板,包括基础基板;以及在所述基础基板上形成并包括金属氧化物材料的散射层,其中所述金属氧化物包括彼此混合的第一金属氧化物和第二金属氧化物,并且所述第二金属氧化物的比表面积大于所述第一金属氧化物的比表面积;光提取基板的制造方法;以及包括光提取基板的有机发光装置。
技术领域
本公开涉及用于有机发光二极管(OLED)的光提取基板、光提取基板的制造方法以及包括光提取基板的OLED装置。更具体地,本公开涉及用于OLED的光提取基板、光提取基板的制造方法以及包括光提取基板的OLED装置,其中光提取基板可以允许平坦化层的厚度显著减小,由此改善OLED装置的光提取效率。
背景技术
通常,发光二极管装置通常可以被分为其中发光层由有机物质形成的有机发光二极管装置、以及其中发光层由无机物质形成的无机发光二极管装置。有机发光二极管装置中的有机发光二极管(OLED)是使用从激子发射的能量来产生光的自发光元件,所述激子经由将同构阴极注入的电子与通过阳极注入的空穴的复合来形成。此类OLED具有各种优点,诸如低电压驱动、自发光、宽视角、高分辨率、自然色彩还原性和短响应时间。
最近,已积极开展研究以将OLED应用于各种装置,诸如便携式信息装置、照相机、手表、办公设备、车辆的信息显示窗、电视(TV)、显示装置、照明装置等。
用于改善OLED装置的发光效率的方法包括改善构成发光层的材料的发光效率的方法、以及改善提取由发光层产生的光的效率的方法。
这里,光提取效率取决于形成OLED装置的各层的折射率。在典型的OLED中,当由发光层产生的光束以大于临界角的角度发射时,光束在可以是透明电极层的较高折射率层与可以是基板的较低折射率层之间的界面处全反射。这因此降低光提取效率,由此降低OLED的整体发光效率,从而是有问题的。
更具体地说,由OLED产生的光仅有约20%被发射出去,并且约80%的光由于波导效应以及全反射而损失,所述波导效应是由于玻璃基板与OLED之间的折射率差异引起的,所述OLED包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层和电子注入层,所述全反射是由于玻璃基板与环境空气之间的折射率差异引起的。这里,内部有机发光层的折射率范围为1.7至1.8,然而通常用于阳极的铟锡氧化物(ITO)的折射率为约1.9。由于两层具有在200nm至400nm范围内的非常低的厚度并且用于基板的玻璃的折射率为约1.5,由此在OLED装置内部引起平面波导。据估计,由于上述原因而在内部波导模式中损失的光的比率为约45%。此外,由于玻璃基板的折射率为约1.5并且环境空气的折射率为1.0,因此当从玻璃基板内部向外引导光时,入射角大于临界角的光束被全反射并被捕获在玻璃基板内。被捕获光的比率为约35%。因此,仅约20%的所产生的光被发射出去。
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