[发明专利]用于有机发光装置的光提取基板、光提取基板的制造方法以及包括光提取基板的有机发光装置

权利要求书

1.一种用于有机发光二极管的光提取基板，包括：

基础基板；以及设置在所述基础基板上的散射层，所述散射层包括第一金属氧化物和第二金属氧化物的混合物，所述第二金属氧化物的比表面积大于所述第一金属氧化物的比表面积。

2.如权利要求1所述的光提取基板，其中所述第一金属氧化物包括第一聚集体，并且所述第二金属氧化物包括第二聚集体，所述第一聚集体具有与所述第二聚集体不同的晶体习性。

3.如权利要求1所述的光提取基板，还包括包覆层，所述包覆层设置在所述散射层上，使得所述包覆层设置在所述散射层与有机发光二极管之间，所述包覆层包括第三金属氧化物，所述第三金属氧化物具有比所述第一金属氧化物和所述第二金属氧化物的混合物更大的比表面积。

4.如权利要求3所述的光提取基板，其中所述第一金属氧化物至所述第三金属氧化物具有相同的化学成分。

5.如权利要求4所述的光提取基板，其中所述第一金属氧化物至所述第三金属氧化物具有相同的折射率。

6.如权利要求4所述的光提取基板，其中所述第一金属氧化物至所述第三金属氧化物具有相同的晶相。

7.如权利要求4所述的光提取基板，其中所述第一金属氧化物至第三金属氧化物中的每一个包括金红石相或锐钛矿相的二氧化钛。

8.如权利要求3所述的光提取基板，其中所述第一金属氧化物包括第一聚集体，所述第二金属氧化物包括第二聚集体，并且所述第三金属氧化物包括第三聚集体，并且

所述第一聚集体具有与所述第二聚集体和所述第三聚集体不同的晶体习性，并且所述第二聚集体和所述第三聚集体具有相同的晶体习性。

9.如权利要求8所述的光提取基板，其中所述第一聚合物具有枝状晶体习性。

10.如权利要求9所述的光提取基板，其中所述第一聚集体的尺寸的范围为0.04μm至2.7μm。

11.如权利要求8所述的光提取基板，其中所述第二聚集体和所述第三聚集体具有棒状晶体习性。

12.如权利要求11所述的光提取基板，其中所述第二聚集体和所述第三聚集体的尺寸的范围为0.035μm至2.7μm。

13.如权利要求8所述的光提取基板，其中所述第一聚集体和所述第二聚集体被填充在所述散射层中，使得在所述散射层中形成孔，并且所述第三聚集体被填充在所述包覆层中，使得在所述包覆层中形成孔。

14.如权利要求13所述的光提取基板，其中所述散射层的孔隙率和所述包覆层的孔隙率的范围为1％至40％。

15.如权利要求13所述的光提取基板，其中在所述散射层中形成的孔的尺寸和在所述包覆层中形成的孔的尺寸的范围为10nm至500nm。

16.如权利要求13所述的光提取基板，其中所述第三聚集体填充在所述包覆层中的程度比所述第一聚集体和所述第二聚集体填充在所述散射层中的程度更紧密，由此所述散射层的孔隙率大于所述包覆层的孔隙率。

17.如权利要求13所述的光提取基板，其中所述散射层还包括多个光散射颗粒。

18.如权利要求17所述的光提取基板，其中所述多个光散射颗粒中的每一个包括至少两个部分，所述至少两个部分具有不同的折射率。

19.如权利要求18所述的光提取基板，其中所述至少两个部分包括核和围绕所述核的壳，所述壳具有与所述核不同的折射率。