[发明专利]发光二极管的保护膜的沉积方法

权利要求书

1.一种发光二极管的保护膜的沉积方法，包含如下工序：

于基板的发光二极管的上部沉积第一无机保护膜的工序；以及

将内部应力比所述第一无机保护膜相对小的第二无机保护膜沉积于所述第一无机保护膜的上部的工序，

其中沉积所述第一无机保护膜的工序与沉积所述第二无机保护膜的工序使用相同的原料气体于一个腔室连续执行，且执行时使用不同的反应气体，以原子层沉积法沉积氧化铝膜。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的保护膜的沉积方法，其中沉积所述第一无机保护膜的工序将含有铝的化合物当作原料气体提供并提供N₂O作为反应气体，且沉积所述第二无机保护膜的工序将含有铝的化合物当作原料气体提供并提供O₂作为反应气体。

3.根据权利要求2所述的发光二极管的保护膜的沉积方法，其中所述第二无机保护膜的厚度大于所述第一无机保护膜的厚度。

4.根据权利要求2所述的发光二极管的保护膜的沉积方法，通过反复执行沉积所述第一无机保护膜的工序与沉积所述第二无机保护膜的工序，而沉积多层保护膜。

5.根据权利要求4所述的发光二极管的保护膜的沉积方法，其中反复执行沉积所述第一无机保护膜的工序与沉积所述第二无机保护膜的工序时，以于所述发光二极管越朝向上部，内部应力越相对减小的方式沉积。

6.根据权利要求5所述的发光二极管的保护膜的沉积方法，其中于所述发光二极管越朝向上部，等离子体力量及反应气体供应量越相对增加。

7.根据权利要求1所述的发光二极管的保护膜的沉积方法，还包含于所述第二无机保护膜的上部沉积缓冲层的工序。

8.根据权利要求7所述的发光二极管的保护膜的沉积方法，其中所述缓冲层的内部应力比所述第二无机保护膜的内部应力相对小。

9.根据权利要求8所述的发光二极管的保护膜的沉积方法，其中所述缓冲层由通过等离子体增强化学气相沉积而沉积的含有碳的硅氧化物所构成。

10.根据权利要求9所述的发光二极管的保护膜的沉积方法，其中所述缓冲层由选自由六甲基二硅氧烷，四甲基二硅氧烷，六乙基二硅氧烷，六氯乙硅烷，双(二乙基氨基)硅烷所构成的有机前体物族群中任一者沉积。