[发明专利]与薄膜层分析有关的设备及其制造方法

说明书

与薄膜层分析有关的设备包括在其间具有腔体(104)的两个层结构(100,102)，以及穿过层结构中的一个(102)达到腔体(104)的开口(110)，所述腔体(104)构造为通过开口(110)接收用于在腔体(104)内形成薄膜层(900)的材料。两个层结构(100,102)中的至少一个包括用于与薄膜层(900)有关的分析的至少一个位置标记(108)。

技术领域

本发明涉及与薄膜层分析有关的设备，以及制造该设备的方法。

背景技术

保形薄膜在大量技术领域中使用，范围从半导体装置到能源应用、催化和药物。“保形性(Conformality)”是指具有相同厚度、组成和性质的薄膜覆盖三维物体的所有表面的能力。

为了快速和可重复地分析保形性，保形性测试结构应具有可靠的内部长度尺度校准。例如，设备制造商、前体公司、半导体装置制造商和/或与原子层沉积和/或化学气相沉积(ALD/CVD)有关的其它公司希望具有对保形性进行分析的精确手段。此外，大学和/或研究所经常需要合适的设备以进行保形性分析。然而，虽然近来用硅技术制成的横向高纵横比(lateral high-aspect-ratio，LHAR)测试结构已经用于分析，但没有精确或标准的方式分析薄膜保形性。因此，需要改进测试结构。

简要说明

本发明寻求测试中的改进。根据本发明的一个方面，提供了权利要求1中所述的与薄膜层分析有关的设备。

根据本发明的另一个方面，提供了权利要求10中所述的一种与薄膜层分析有关的设备的制造方法。

本发明提供了多个优点。至少一个位置标记使得薄膜层的分析更快、更精确且更容易。

附图列表

现将参照附图仅以示例的方式描述本发明的示例性实施方式，附图中：

图1至图5显示了与薄膜层分析有关的设备的示例；

图6A显示了范围1000μm至5000μm的位置标记的示例；

图6B显示了范围100μm至1000μm的位置标记的示例；

图6C显示了范围0μm至150μm的位置标记的示例；

图6D显示了0μm至1000μm距离范围内示例性的线数量及其相对于彼此的位置；

图6E显示了1100μm至4900μm距离范围内示例性的线数量及其相对于彼此的位置；

图6F显示了包括至少两个子标记的位置标记的示例。

图7显示了一个设备示例的俯视图；

图8A显示了一个设备示例的另一俯视图；

图8B显示了具有超过一个开口的设备的示例；

图9显示了腔体内薄膜层的设备的一个示例；和

图10是显示设备制造方法流程图的一个示例。

具体实施方式

以下实施方式仅仅是示例。虽然说明书可能在多个地方提及“一个/一”实施方式，这并不一定意味着每个这样的提及是针对相同的实施方式，或者该特征仅适用于单个实施方式。也可以组合不同实施方式的单个特征以提供其它实施方式。此外，词“包含”和“包括”应当被理解为并不是将所述实施方式限制为由已经提及的这些特征组成，并且这些实施方式可以包含未明确提及的特征/结构。

应注意，虽然附图显示了不同实施方式，但是其是简化的图，显示了一些结构和/或功能实体。附图中显示的连接可能是指逻辑连接或物理连接。所述设备可以包含处理附图和文中所述之外的其它功能和结构对本领域技术人员而言是显而易见的。应理解一些功能或结构的细节与实际发明无关。因此，在本文中不需要详细讨论。