[发明专利]与薄膜层分析有关的设备及其制造方法

权利要求书

1.一个与薄膜层分析有关的设备，其中，所述设备包括在其间具有腔体的两个层结构，以及穿过层结构中的一个到达腔体的至少一个开口，所述腔体构造为通过至少一个开口接收用于在腔体内形成薄膜层的材料，其中，

两个层结构中的至少一个包括用于与薄膜层有关的分析的至少一个位置标记，

其中，至少一个位置标记具有一个性质，所述性质构造为携带与至少一个位置标记相对于开口的位置有关的信息。

2.如权利要求1所述的设备，其中，至少一个位置标记的横截面尺寸构造为携带关于位置的信息。

3.如权利要求1所述的设备，其中，至少一个位置标记包含至少两个子标记，所述至少两个子标记之间的距离或至少两个子标记的距离构造为携带关于位置的信息。

4.如权利要求1所述的设备，其中，所述性质与至少一个位置标记的材料有关，并且所述性质构造为引起与位置检测所用辐射的独特相互作用，所述独特相互作用设计用来表示所述位置。

5.如权利要求1所述的设备，其中，薄膜层是以下的至少一种：Al₂O₃、SiO₂、Ir、TaN、烷氧基铝、HfO₂、ZrO₂、Si₃N₄和TiO₂。

6.如权利要求1所述的设备，其中，薄膜层通过以下至少一种技术通过开口沉积到腔体中：原子层沉积、化学气相沉积和物理气相淀积。

7.如权利要求1所述的设备，其中，两个层结构之间的腔体构造为无支撑的。

8.如权利要求1所述的设备，其中，腔体构造为在两个层结构之间具有至少一个柱。

9.一种与薄膜层分析有关的设备的制造方法，所述方法包括在两个层结构之间形成腔体，所述方法包括：

将至少一个位置标记形成到两个层结构中的至少一个用于与薄膜层有关的分析；并且

形成穿过层结构中的一个到达腔体的至少一个开口，腔体构造为通过所述至少一个开口接收用于在腔体内形成薄膜层的材料，

其中，至少一个位置标记具有一个性质，所述性质构造为携带与至少一个位置标记相对于开口的位置有关的信息。