[发明专利]发光器件和包括发光器件的显示器

说明书

实施例公开发光器件和包括发光器件的显示器。发光器件包括：透光衬底；发光结构，其包括布置在透光衬底上的第二导电半导体层；第一导电半导体层，其被布置在第二导电半导体层上；以及有源层，其被布置在第二导电半导体层和第一导电半导体层之间；绝缘层，其覆盖发光结构；第一欧姆电极，其被电连接到第一导电半导体层；第二欧姆电极，其被布置在第二导电半导体层的面向透光衬底的一侧上并且电连接到第二导电半导体层；第一电极，其穿过绝缘层被电连接到第一欧姆电极；以及第二电极，其穿过绝缘层和发光结构被电连接到第二欧姆电极，其中有源层发射红色波段的光，第二欧姆电极包括焊盘电极和多个分支电极，该焊盘电极被布置在第二导电半导体层的中心处，该多个分支电极从第二导电半导体层的中心向外延伸。

技术领域

实施例涉及一种发光器件和包括该发光器件的显示器。

背景技术

发光二极管(LED)是当向其施加电流时发射光的发光器件中的一种。LED能够以低电压和高效率发射光，从而具有优异的节能效果。近年来，LED亮度问题已经被显著地改善，并且LED已经应用于各种设备，诸如液晶显示器的背光单元、电子标牌、显示装置和家用电器。

具有AlGaInP的LED使用GaAs衬底作为生长衬底，但是为了将LED制造为倒装芯片类型，存在去除GaAs衬底以便于防止光吸收的需求。然而，存在难以使用传统的激光剥离(LLO)工艺去除GaAs衬底的问题。因此，大多数具有AlGaInP的LED被制造为垂直型。

发明内容

技术问题

实施例提供倒装芯片型红色发光器件。

另外，实施例提供具有优异光提取效率的发光器件。

此外，实施例提供一种具有优异电流分布效果的发光器件。

另外，实施例提供具有优异欧姆接触的发光器件。

技术方案

根据本发明的实施例的发光器件包括：透光衬底；发光结构，该发光机构包括布置在透光衬底上的第二导电半导体层；第一导电半导体层，该第一导电半导体层被布置在第二导电半导体层上；以及有源层，该有源层被布置在第二导电半导体层和第一导电半导体层之间；绝缘层，该绝缘层被构造成覆盖发光结构；第一欧姆电极，该第一欧姆电极被电连接到第一导电半导体层；第二欧姆电极，该第二欧姆电极被布置在第二导电半导体层的面向透光衬底的一侧上并且电连接到第二导电半导体层；第一电极，该第一电极穿过绝缘层被电连接到第一欧姆电极；以及第二电极，该第二电极穿过绝缘层和发光结构被电连接到第二欧姆电极，其中有源层发射红色波段(wavelength band)的光，第二欧姆电极包括焊盘电极和多个分支电极，该焊盘电极被布置在第二导电半导体的中心处，多个分支电极从第二导电半导体层的中心向外延伸。

发光器件可以包括光学层，该光学层被布置在第二导电半导体层和透光衬底之间，并且光学层可以接合透光衬底和发光结构。

第一电极可以具有关于发光结构的中心轴的旋转对称形状，第二电极可以具有关于发光结构的中心轴的旋转对称形状，第一电极可以被布置在发光结构的中心轴上，并且第二电极可以被布置在发光结构的边缘上。

第二电极可以穿过绝缘层和发光结构被电连接到第二欧姆电极，发光结构可以包括第二电极在其中延伸的通孔(through-hole)，并且通孔的直径和第二欧姆电极的焊盘电极的直径之间的比率可以是1:1.2至1:2。

第二欧姆电极的面积可以是第二导电半导体层的整个面积的2％至7％。

第二导电半导体层可以包括第二包覆层(clad layer)、第二电流分布层(currentdistribution layer)和第二欧姆层，发光结构可以包括形成在第一导电半导体层上并且被构造成暴露第二电流分布层的容纳槽(accommodating groove)，并且第二欧姆电极可以布置在容纳槽的底表面上。