[发明专利]发光器件和包括发光器件的显示器有效
申请号: | 201780024951.4 | 申请日: | 2017-04-21 |
公开(公告)号: | CN109075221B | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 朴德炫;高恩彬;文盛煜;朴相绿;郑英根;洪起勇;郑炳学 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/36;H01L33/14;H01L33/50;H05B45/00;H01L33/38 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 达小丽;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 包括 显示器 | ||
1.一种发光器件,包括:
透光衬底;
发光结构,所述发光结构包括布置在所述透光衬底上的第二导电半导体层;第一导电半导体层,所述第一导电半导体层被布置在所述第二导电半导体层上;以及有源层,所述有源层被布置在所述第二导电半导体层和所述第一导电半导体层之间;
绝缘层,所述绝缘层被构造成覆盖所述发光结构;
第一欧姆电极,所述第一欧姆电极被电连接到所述第一导电半导体层;
第二欧姆电极,所述第二欧姆电极被布置在所述第二导电半导体层的面向所述透光衬底的一侧上并且被电连接到所述第二导电半导体层;
第一电极,所述第一电极穿过所述绝缘层被电连接到所述第一欧姆电极;以及
第二电极,所述第二电极穿过所述绝缘层和所述发光结构被电连接到所述第二欧姆电极,其中:
所述有源层发射红色波段的光;以及
所述第二欧姆电极包括焊盘电极和多个分支电极,所述焊盘电极被布置在所述第二导电半导体层的中心处,所述多个分支电极从所述第二导电半导体层的中心向外延伸。
2.根据权利要求1所述的发光器件,包括光学层,所述光学层被布置在所述第二导电半导体层和所述透光衬底之间,其中所述光学层接合所述透光衬底和所述发光结构。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中:
所述第一电极具有关于所述发光结构的中心轴的旋转对称形状;
所述第二电极具有关于所述发光结构的中心轴的旋转对称形状;
所述第一电极被布置在所述发光结构的中心轴上;以及
所述第二电极被布置在所述发光结构的边缘上。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其中:
所述发光结构包括所述第二电极在其中延伸的通孔;以及
所述通孔的直径与所述第二欧姆电极的焊盘电极的直径之间的比率是1:1.2至1:2。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第二欧姆电极的面积是所述第二导电半导体层的整个面积的2%至7%。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中:
所述第二导电半导体层包括在所述有源层上的第二包覆层、在所述第二包覆层上的第二电流分布层和在所述第二电流分布层上的第二欧姆层;
所述发光结构包括容纳槽,所述容纳槽被形成在所述第一导电半导体层上并且被构造成暴露所述第二电流分布层;以及
所述第二欧姆电极被布置在所述容纳槽的底表面上。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其中,所述第二电流分布层和所述第二欧姆层包括Ga和P。
8.根据权利要求1所述的发光器件,其中,所述第一导电半导体层包括与所述第一欧姆电极接触的第一欧姆层,并且所述第一欧姆层包括GaAs组分。
9.一种显示器,包括:
阵列基板;
公共线,所述公共线被形成在所述阵列基板上;
多个驱动线,所述多个驱动线被形成在所述阵列基板上;以及
多个发光器件,所述多个发光器件被安装在所述阵列基板上,其中所述发光器件包括:
透光衬底;
发光结构,该发光结构包括:第二导电半导体层,所述第二导电半导体层被布置在所述透光衬底上;第一导电半导体层,所述第一导电半导体层被布置在所述第二导电半导体层上;以及有源层,所述有源层被布置在所述第二导电半导体层和所述第一导电半导体层之间;
绝缘层,所述绝缘层被构造成覆盖所述发光结构;
第一欧姆电极,所述第一欧姆电极被电连接到所述第一导电半导体层;
第二欧姆电极,所述第二欧姆电极被布置在所述第二导电半导体层的面向所述透光衬底的一侧并且被电连接到所述第二导电半导体层;
第一电极,所述第一电极穿过所述绝缘层被电连接到所述第一欧姆电极;以及
第二电极,所述第二电极穿过所述绝缘层和所述发光结构被电连接到所述第二欧姆电极,其中:
所述有源层发射红色波段的光;以及
所述第二欧姆电极包括焊盘电极和多个分支电极,所述焊盘电极被布置在所述第二导电半导体层的中心处,所述多个分支电极从所述第二导电半导体层的中心向外延伸。
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