[发明专利]拍摄装置在审
| 申请号: | 201780024488.3 | 申请日: | 2017-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN109075178A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
| 发明(设计)人: | 本田大辅;中野贵司;川端优;泷本贵博;夏秋和弘;內田雅代;内桥正明 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G02B5/30;H04N5/369 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 偏振片层 拍摄装置 形成材料 狭缝 方向周期性 偏振滤光器 电介质层 偏振特性 布线层 受光部 偏振 合金 | ||
实现一种具备使偏振特性提高的狭缝型的偏振滤光器的拍摄装置。拍摄装置(100)的偏振部(10)具备隔着电介质层(14)的第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b),在第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的各偏振片层中,形成有沿规定的方向周期性地排列的多个狭缝(13)。第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的形成材料及控制受光部(11)的动作的布线层的形成材料分别为选自Al、Si、Cu、Au、Ag、Pt、W、Ti、Sn、In、Ga、Zn或包含这些元素中的至少一个的化合物或合金的材料。
技术领域
以下的公开涉及一种具备偏振滤光器的拍摄装置。
背景技术
在太阳光通过被物体反射或散射而生成的反射光及散射光中,包含因物体的反射面的表面状态而产生的偏振成分。近年来,正在开发在拍摄被射体的拍摄装置中,通过分离偏振成分和无偏振成分,能够对拍摄的图像进行校正或从拍摄的图像中削除与偏振成分有关系的不要的信息的拍摄装置。
在下述的专利文献1所公开的二维固体拍摄装置中,在呈二维矩阵状配置的多个像素区域分别具备的多个副像素区域内的、至少一个副像素区域的光入射侧配置有狭缝型(线栅型)的偏振部件。各副像素区域具备控制光电转换元件的动作的布线层,该布线层由与所述偏振部件相同的材料构成,且该布线层与该偏振部件配置在相同的假想平面上。
专利文献1记载了根据这样的构成,能够使狭缝型的偏振部件与布线层的位置关系最优化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报“日本特开2010-263158号公报(2010年11月18日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而,在本申请发明人们(以下,仅称作“发明人们”)对所述现有技术的结构进行了研究时,知晓所述现有技术的结构中,本来不欲透射的偏振成分的透射率高达从几%到小于10%,从而偏振特性存在问题。不欲透射的偏振成分是指,具有与狭缝的延伸方向平行的偏振面的偏振成分,狭缝型的偏振部件具有对其偏振成分进行反射和吸收的滤光片功能。
另外,将所述现有技术的结构具有的偏振特性与本公开的实施方式的结构具有的偏振特性进行对比,在下文中具体地进行说明。
本公开的一个方式是鉴于发明人们发现的所述问题而完成的,其目的在于,实现一种具备使偏振特性提高的狭缝型的偏振滤光器的拍摄装置。
解决问题的手段
为了解决所述的问题,本公开的一个方式涉及的拍摄装置具备:包含具备偏振部的像素的拍摄元件,所述像素具备控制所述拍摄元件的动作的布线层,所述偏振部具备:多个偏振片层;及电介质层,其配置于所述多个偏振片层中的、相邻的两个偏振片层之间,在所述多个偏振片层的各偏振片层中,形成有沿规定的方向周期性地排列的多个狭缝,所述多个偏振片层的形成材料及所述布线层的形成材料分别为选自Al、Si、Cu、Au、Ag、Pt、W、Ti、Sn、In、Ga、Zn或包含这些元素中的至少一个的化合物或合金的材料。
发明效果
根据本公开的一个方式涉及的拍摄装置,在具备狭缝型的偏振滤光器的拍摄装置中,能够起到提高偏振特性这样的效果。
附图说明
图1为表示本公开的第一实施方式涉及的像素的主要部分的结构的剖视图。
图2为用于说明本公开的第一实施方式涉及的拍摄元件的原理的概要图。
图3为示意地表示本公开的第一实施方式涉及的像素中光栅部被电介质层包含的形态的立体图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





