[发明专利]拍摄装置在审
| 申请号: | 201780024488.3 | 申请日: | 2017-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN109075178A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
| 发明(设计)人: | 本田大辅;中野贵司;川端优;泷本贵博;夏秋和弘;內田雅代;内桥正明 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G02B5/30;H04N5/369 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 偏振片层 拍摄装置 形成材料 狭缝 方向周期性 偏振滤光器 电介质层 偏振特性 布线层 受光部 偏振 合金 | ||
1.一种拍摄装置,其特征在于,具备:包含具备偏振部的像素的拍摄元件,
所述像素具备控制所述拍摄元件的动作的布线层,
所述偏振部具备:
多个偏振片层;及
电介质层,其配置于所述多个偏振片层中的、相邻的两个偏振片层之间,
在所述多个偏振片层的各偏振片层中,形成有沿规定的方向周期性地排列的多个狭缝,
所述多个偏振片层的形成材料及所述布线层的形成材料分别为选自Al、Si、Cu、Au、Ag、Pt、W、Ti、Sn、In、Ga、Zn或包含这些元素中的至少一个的化合物或合金的材料。
2.根据权利要求1所述的拍摄装置,其特征在于,
所述多个偏振片层分别具备沿所述规定的方向周期性地排列的多个光栅部,在所述多个光栅部中的相邻的两个光栅部之间配置有所述多个狭缝中的一个狭缝,
在将所述相邻的两个偏振片层中的、靠近所述拍摄元件的一方的偏振片层设为第一偏振片层,将远离该拍摄元件的一方的偏振片层设为第二偏振片层,将所述相邻的两个光栅部的间隔设为所述狭缝的宽度的情况下,
在从所述第二偏振片层的法线方向观察时,在所述第二偏振片层的所述狭缝的宽度的范围内,存在有所述第一偏振片层的所述光栅部的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的拍摄装置,其特征在于,
所述第二偏振片层的所述狭缝的宽度与所述第一偏振片层的所述光栅部的宽度设定为相等,
在从所述法线方向观察时,所述第二偏振片层的所述狭缝与所述第一偏振片层的所述光栅部,实质上无间隙地重叠。
4.根据权利要求2所述的拍摄装置,其特征在于,
与所述第二偏振片层的所述狭缝的宽度相比,所述第一偏振片层的所述光栅部的宽度设定得较宽,
在从所述法线方向观察时,以堵塞所述第二偏振片层的所述狭缝的方式,配置有所述第一偏振片层的所述光栅部。
5.根据权利要求1所述的拍摄装置,其特征在于,
所述多个偏振片层分别具备沿所述规定的方向周期性地排列的多个光栅部,在所述多个光栅部中的相邻的两个光栅部之间,配置有所述多个狭缝中的一个狭缝,
在将所述相邻的两个偏振片层中的、靠近所述拍摄元件的一方的偏振片层设为第一偏振片层,将远离该拍摄元件的一方的偏振片层设为第二偏振片层,将所述相邻的两个光栅部的间隔设为所述狭缝的宽度的情况下,
在从所述第二偏振片层的法线方向观察时,所述第二偏振片层的所述光栅部与所述第一偏振片层的所述光栅部为具有重叠的配置中的、具有最大限度重叠的配置。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的拍摄装置,其特征在于,
所述多个偏振片层的形成材料与所述布线层的形成材料相同。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的拍摄装置,其特征在于,
所述多个偏振片层中的、至少一个偏振片层构成与所述布线层相同的层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





