[发明专利]用于防止空间ALD处理腔室中的背侧沉积的装置

说明书

描述了一种包含具有支撑柱的基座的基座组件。所述基座具有主体，所述主体具有顶表面与底表面。所述顶表面具有多个凹部。所述支撑柱连接至所述基座的底表面，以旋转所述基座组件。所述支撑柱包括支撑柱真空气室，所述支撑柱真空气室与所述基座的主体中的基座真空气室流体连通。所述支撑柱还包括净化气体管线，所述净化气体管线通过支撑柱延伸至所述基座的主体中的净化气体气室。

技术领域

本公开大体涉及防止背侧沉积的装置与方法。更具体地，本公开涉及用于防止空间原子层沉积处理腔室中的基板的背侧上沉积的装置与方法。

背景技术

在空间原子层沉积(ALD)处理中，沉积气体可以接触基板的背面，从而导致背侧沉积。背侧沉积可能是使用多晶片基座布置的批处理腔室中的问题。当前批处理系统具有围绕晶片的外边缘多达30毫米幅度的背侧沉积。因此，在本领域中需要用于防止批处理腔室中的背侧沉积的装置与方法。

发明内容

本公开的一个或多个实施例针对包含具有支撑柱的基座的基座组件。基座具有主体，主体具有顶表面与底表面。顶表面中具有多个凹部。支撑柱连接至基座的底表面，以旋转基座组件。支撑柱包括支撑柱真空气室，支撑柱真空气室与基座的主体中的基座真空气室流体连通。支撑柱还包括净化气体管线，净化气体管线通过支撑柱延伸至基座的主体中的净化气体气室。

本公开的附加实施例针对包括基座的基座组件，基座具有主体，主体具有顶表面和底表面。顶表面中具有多个凹部。每个凹部在凹部的外周边区域内具有净化环，从而形成环形腔。支撑柱连接到基座的底表面以旋转基座组件。支撑柱包括：与基座的主体中的基座真空气室流体连通的支撑柱真空气室；净化气体管线，通过支撑柱延伸到基座的主体中的净化气体气室；主体内的多个径向净化气体馈送通道，其中两个径向净化气体馈送通道与净化气体气室和每个凹部的环形腔流体连通；以及多个径向真空馈送通道，其中，径向真空馈送通道与基座真空气室以及每个凹部流体连通。

本公开的进一步实施例针对基座组件，基座组件包含基座，基座具有主体，主体具有顶表面和底表面。顶表面中具有多个凹部。每个凹部在凹部的外周边区域内具有净化环，从而形成环形腔。支撑柱连接到基座的底表面以旋转基座组件。支撑柱包括：支撑柱真空气室，在所述支撑柱的顶部的中央部分中，该支撑柱真空气室与基座的主体中的基座真空气室流体连通；净化气体管线，该净化气体管线通过支撑柱延伸，从而在支撑柱真空气室下方的接合部处分开成两个上净化气体管线，上净化气体管线具有基本上相同的传导率，并且与基座的主体中的净化气体气室流体连通；主体内的多个径向净化气体馈送通道，其中，两个径向净化气体馈送通道与净化气体气室以及凹部中的每一个的环形腔流体连通，径向净化气体馈送通道中的每一个具有基本上相同传导率的不同尺寸的两个孔洞；多个径向净化气体馈送通道，其中一个径向真空馈送通道与基座真空气室以及每个凹部流体连通，径向真空馈送通道的每一个与凹部中的多个孔隙流体连通；每个凹部中的净化环，净化环包含第一压缩间隙与第二压缩间隙，第一压缩间隙形成第一环状气室，以增加第一环状气室中的压力均匀性，第二压缩间隙形成第二环状气室，以定义离开第二环状气室的气体的环隙流速。

附图说明

为了可以详细理解本公开的上述特征的方式可参照实施例得到以上简要概括的本公开的更具体的描述，这些实施例中的一些在附图中示出。然而，应注意附图仅示出本公开的典型实施例，并且因此不被视为限定本公开的保护范围，本公开可允许其他等效实施例。

图1示出根据本公开的一个或多个实施例的批处理腔室的横截面图；

图2示出根据本公开的一个或多个实施例的批处理腔室的局部透视图；

图3示出根据本公开的一个或多个实施例的批处理腔室的示意图；

图4示出根据本公开的一个或多个实施例的用于批处理腔室中的楔形气体分配组件的一部分的示意图；

图5示出根据本公开的一个或多个实施例的批处理腔室的示意图；