[发明专利]用于防止空间ALD处理腔室中的背侧沉积的装置有效
| 申请号: | 201780024476.0 | 申请日: | 2017-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN109072433B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
| 发明(设计)人: | J·约德伏斯基;A·S·波利亚克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 防止 空间 ald 处理 中的 沉积 装置 | ||
1.一种基座组件,包含:
基座,具有主体,所述主体具有顶表面与底表面,所述顶表面中具有多个凹部;以及
支撑柱,连接至所述基座的所述底表面,以旋转所述基座组件,所述支撑柱包括:
支撑柱真空气室,所述支撑柱真空气室与所述基座的所述主体中的基座真空气室流体连通,以及
净化气体管线,所述净化气体管线通过所述支撑柱延伸至所述基座的所述主体中的净化气体气室,其中,延伸通过所述支撑柱的所述净化气体管线在接合部处分开成多个上净化气体管线。
2.如权利要求1所述的基座组件,其中,所述多个上净化气体管线中的每一个具有基本上相等的传导率。
3.如权利要求2所述的基座组件,其中,所述支撑柱真空气室位于所述支撑柱的顶部的中央部分中。
4.如权利要求3所述的基座组件,其中,所述多个上净化气体管线中的每一个从所述支撑柱真空气室下方的接合部围绕所述支撑柱真空气室延伸至所述基座的所述主体。
5.如权利要求1所述的基座组件,进一步包含所述基座的所述主体中的多个径向净化气体馈送通道,所述径向净化气体馈送通道与所述净化气体气室流体连通。
6.如权利要求5所述的基座组件,其中,存在至少两个径向净化气体馈送通道,所述至少两个径向净化气体馈送通道与所述凹部中的每一个流体连通。
7.如权利要求6所述的基座组件,其中,存在两个径向净化气体馈送通道,所述至少两个径向净化气体馈送通道与每个凹部流体连通,所述两个径向净化气体馈送通道偏离中心地连接至所述凹部。
8.如权利要求7所述的基座组件,其中,所述径向净化气体馈送通道中的每一个连接至所述凹部的具有两个孔洞的环形气室。
9.如权利要求8所述的基座组件,其中,所述两个孔洞中的每一个具有不同的尺寸,以具有流入所述凹部的所述环形气室中的净化气体的相等传导率。
10.如权利要求1所述的基座组件,进一步包含多个径向真空馈送通道,所述径向真空馈送通道与所述基座真空气室流体连通。
11.如权利要求10所述的基座组件,其中每个凹部中存在一个径向真空馈送通道。
12.如权利要求11所述的基座组件,其中,所述径向真空馈送通道与所述凹部中的多个孔隙流体连通。
13.如权利要求1所述的基座组件,进一步包含在每个凹部中的净化环。
14.如权利要求13所述的基座组件,其中,所述净化环包含第一压缩间隙,所述第一压缩间隙形成第一环状气室,以增加所述第一环状气室中的压力均匀性。
15.如权利要求14所述的基座组件,其中,所述第一压缩间隙为400μm。
16.如权利要求15所述的基座组件,其中,所述净化环进一步包含第二压缩间隙,所述第二压缩间隙形成第二环状气室,以定义离开所述第二环状气室的气体的环隙流速。
17.如权利要求16所述的基座组件,其中,所述第二压缩间隙为200μm。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





