[发明专利]半导体封装件及使用其的半导体装置

说明书

半导体封装件具备基体、信号端子、布线基板和接地端子。基体具有沿厚度方向贯通的贯通孔。信号端子设置于贯通孔。布线基板在与基体的下表面之间即上表面设置有接地导体层，在下表面与接地导体层重叠地设置有与信号端子连接的线路导体。接地端子贯通布线基板，与接地导体层连接。接地端子设置在距与基体的外缘重叠的位置小于线路导体中传输的高频信号的波长的四分之一的距离处。

技术领域

本发明涉及用于收纳光通信领域等所使用的半导体元件等的半导体封装件及使用其的半导体装置。

背景技术

近年来，使用光通信装置收发光信号的半导体装置等的高速化正受到关注。这样的半导体装置要求更高输出化、高速化。

半导体装置由半导体封装件、LD(Laser Diode：激光二极管)、PD(Photo Diode：光电二极管)等的半导体元件构成(参照日本特开2011-119634号公报)。

在日本特开2011-119634号公报所公开的技术中，在半导体封装件中，具备具有贯通孔的基体、固定于贯通孔的信号端子、具有与信号端子连接的信号线路导体的布线基板、和与基体接合的接地端子。信号端子和接地端子在俯视透视中设置在基体的中心附近。然而，在专利文献1的技术中，由于信号端子和接地端子位于基体的中心，因此在高频信号经由信号端子和接地端子传输时，由于在基体与接地端子之间产生的电位差，有时在基体与接地端子之间产生谐振现象。此时，存在半导体封装件的频率特性劣化的情况。

发明内容

本发明的实施方式所涉及的半导体封装件具备基体、信号端子、布线基板以及接地端子。基体具有沿厚度方向贯通的贯通孔。信号端子设置于贯通孔。布线基板在与基体的下表面之间即上表面设置有接地导体层，在下表面与接地导体层重叠地设置有与信号端子连接的线路导体。接地端子贯通布线基板，与接地导体层连接。接地端子贯通布线基板，与接地导体层连接。接地端子设置在距与基体的外缘重叠的位置小于线路导体中传输的高频信号的波长的四分之一的距离处。

本发明的实施方式所涉及的半导体装置具备上述各结构的本发明的实施方式所涉及的半导体封装件、安装在所述半导体封装件内的半导体元件、和与所述半导体封装件的所述基体接合的盖体。

附图说明

图1是表示本发明的一实施方式所涉及的半导体封装件的立体图，图1的(a)是从上表面观察的立体图，图1的(b)是从下表面观察的立体图。

图2是表示本发明的一实施方式所涉及的半导体封装件的立体图，图2的(a)是从上表面观察的立体图，图2的(b)是从下表面观察的立体图。

图3是图1所示的本发明的一实施方式所涉及的半导体封装件的布线基板的俯视图，图3的(a)是布线基板的上表面的俯视图，图3的(b)是布线基板的下表面的俯视图。

图4是图1所示的本发明的一实施方式所涉及的半导体封装件的俯视透视图。

图5是图1所示的本发明的一实施方式所涉及的半导体封装件的仰视透视图。

图6是表示本发明的其他实施方式所涉及的半导体封装件的立体图。

图7是表示本发明的一实施方式所涉及的半导体封装件的立体图。

图8是表示本发明的其他实施方式所涉及的半导体装置的立体图。

具体实施方式

参照附图，对本发明的半导体封装件以及半导体装置进行说明。

半导体封装件的结构