[发明专利]具有可移除光纤的光学加热式基板支撑组件有效
| 申请号: | 201780023813.4 | 申请日: | 2017-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN109314076B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
| 发明(设计)人: | V·D·帕科 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 光纤 光学 加热 式基板 支撑 组件 | ||
基板支撑件包括包含顶表面和底表面的板,其中所述顶表面支撑基板。所述板进一步包括电极、一个或多个电阻加热元件、第一多个通道和所述第一多个通道中的多个光纤,其中所述多个光纤可从所述基板支撑件移除。
技术领域
本发明实施例涉及一种使用光学加热来控制基板温度的设备。
背景技术
传统的电子装置制造系统可包括一个或多个工艺腔室。在一些电子装置制造系统中,一个或多个工艺腔室可围绕主体壳体布置,主体壳体具有移送腔室和一或多个装载锁定腔室。这些系统可采用一个或多个工艺腔室,其可在插入到工艺腔室中的基板(如晶片)上执行工艺。处理可包括用于将薄膜沉积在基板上的化学气相沉积(CVD)工艺(如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺)或其他高温工艺。在处理期间,晶片可静置在基座(如基板支撑件)上并且基座的温度可在工艺期间一次或多次地被控制(如加热或冷却)。通常,在一些实施例中,设置在基座内的电阻加热器可提供加热。
然而,应认识到,在此高温处理期间整个基板上的温度的甚至很小的变化也可能会导致差异处理(如可能不均匀的沉积)。
发明内容
在一个方面,一种基板支撑件包括包含顶表面和底表面的板,其中顶表面支撑基板。该板进一步包括电极、一个或多个电阻加热元件、第一多个通道和第一多个通道中的多个光纤,其中多个光纤可从基板支撑件移除。
在另一个方面,一种基板支撑组件包括陶瓷板,该陶瓷板包含顶表面和底表面,其中顶表面支撑基板,该陶瓷板进一步包含用于接收多个光纤的第一多个通道。基板支撑组件进一步包括接合陶瓷板的底表面的陶瓷轴,该陶瓷轴包含空腔。基板支撑组件进一步包括插入陶瓷轴的空腔中的光纤导件,光纤导件包含第二多个通道,其中第二多个通道中的第二通道引导多个光纤中的第一光纤进入第一多个通道中的第一通道。
在另一个方面方面,一种基板支撑组件包括陶瓷板,该陶瓷板包含顶表面和底表面,其中顶表面支撑基板,该陶瓷板进一步包含用于接收多个光纤的第一多个通道。基板支撑组件进一步包括接合陶瓷板的底表面的陶瓷轴,陶瓷轴包含空腔和第二多个通道,其中第二多个通道中的第二通道引导多多个光纤中的第一光纤进入第一多个通道中的第一通道。
在另一个方面,一种刷新(refurbish)静电卡盘的方法包括以下步骤:识别静电卡盘中的故障光纤,静电卡盘包含多个可移除光纤,其中多个可移除光纤中的每一个光纤在静电卡盘中的第一多个通道中的一个通道内。该方法进一步包括将故障光纤从静电卡盘中的第一多个通道中的第一通道移除,其中第一通道实质平行于静电卡盘的顶表面。该方法进一步包括将新光纤插入静电卡盘中的第一通道中。
根据本发明的这些和其他实施例提供了许多其他方面。本发明的实施例的其他特征和方面将从以下说明书、所附权利要求及附图中变得更显而易见。
附图说明
在附图中以示例而非限制的方式说明本发明的实施例,其中相似的参考标记指示类似的元件。
图1示出了根据实施例包括在一个或多个工艺腔室中的光纤加热的电子装置处理系统的示意性俯视图。
图2示出了包括光纤加热的基板温度控制系统的示意性局部截面图,其中根据实施例将光纤放置在通道中。
图3示出了根据实施例的基板支撑组件的一部分的示意性俯视图,其中上部构件被移除以展示光纤在通道内的定位(如辐条)。
图4A示出了基板支撑组件的部分的放大的局部截面图,其表示光纤在通道内的第一实施例。
图4B示出了基板支撑组件的部分的放大的局部截面图,其表示以护套阻挡层将光纤定位在通道内的第二实施例。
图4C示出了基板支撑组件的部分的放大的局部截面图,其表示通道内的光纤的一个实施例。
图4D示出了基板支撑组件的部分的放大的局部截面图,其表示通道内的光纤的另一个实施例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





