[发明专利]有源基板及摄像装置有效
| 申请号: | 201780020317.3 | 申请日: | 2017-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN108886595B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
| 发明(设计)人: | 山本薰 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H04N5/376 | 分类号: | H04N5/376;A61B6/00;H01L27/146;H01L29/786;H04N5/32;H04N5/374 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有源 摄像 装置 | ||
本发明提供一种能够实现使特定的扫描信号线同时有源的高速扫描(high‑speed scan)的有源基板。2个移位寄存器区块(2、3)中的第N段的移位寄存器(4)的每一个以相邻的扫描信号线(GLn、GLn+1)同时成为有源的方式将输出信号输出。
技术领域
本发明涉及一种将驱动扫描信号线的驱动电路单片(monolithic)地形成在基板上而成的有源(active)基板及具备所述有源基板的摄像装置。
背景技术
目前,X射线摄像装置以间接转换方式为主流,为了检测经闪烁器(scintillator)转换后的电信号,而采用有源矩阵(active matrix)型的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列。以往,为了形成TFT阵列中的薄膜晶体管元件(TFT元件),使用a-Si层作为半导体层。
根据该a-Si层的特性,a-Si层无法用作栅极驱动器(gate driver)等驱动电路用的半导体层。
因此,在具备a-Si层的TFT阵列中,以外设的形式形成栅极驱动器等驱动电路。
像这样以外设的形式形成栅极驱动器的情况下,如专利文献1及专利文献2所记载那样,局部选择TFT阵列中的各扫描信号线,而能够进行设为High(高)状态(有源)的扫描(scan)。
然而,近年来,由于高迁移率所带来的性能提高、画面均匀性的提高等,而开发出具备氧化物半导体层、例如含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体层的TFT阵列。
在具备氧化物半导体层的TFT阵列中,通过栅极驱动器单片(以下称为GDM)、也就是说将栅极驱动器直接形成在TFT阵列上,而实现零件件数的削减、可靠性提高。
现有技术文献
[专利文献]
[专利文献1]日本公开专利公报“日本专利特开2015-100711号”公报(2015年6月4日公开)
[专利文献2]日本公开专利公报“日本专利特开2003-198956号”公报(2003年7月11日公开)
发明内容
本发明所要解决的技术问题
以下,基于图24及图25,对具备以往的有源基板的摄像装置的问题进行说明,所述以往的有源基板是将栅极驱动器以GDM的形式形成在TFT阵列上。
图24是表示以往的摄像装置100的概略构成的图。
摄像装置100具备有源基板101及外部驱动电路150。
有源基板101中具备以GDM的形式形成的栅极驱动器120、多条数据信号线(DL1~DLm)、多条扫描信号线(GL1~GLn)、以及分别对应于这些多条数据信号线(DL1~DLm)与多条扫描信号线(GL1~GLn)的交叉点而设置的多个(m×n个)像素部PIX。
这些m×N个像素部PIX呈矩阵(matrix)状配置而构成受光区域110。各像素部PIX中具备:TFT元件114,作为在通过对应的交叉点的扫描信号线连接着栅极(gate)端子并且在通过交叉点的数据信号线连接着源极(source)端子的开关(switching)元件;以及光电二极管(Photodiode)115,接收利用闪烁器由X射线进行转换所得的光并将光转换为电信号。
也就是说,具备半导体层的TFT元件114、与驱动连接于TFT元件114的每一个的多条扫描信号线(GL1~GLn)的栅极驱动器120形成在同一基板上。
此外,以GDM的形式形成的栅极驱动器120中包含移位寄存器(Shift register)电路121。
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