[发明专利]导电材料及其制造方法

权利要求书

1.一种导电材料，包括：

基材，该基材至少在其表面具有导电性；以及

位于所述基材的所述表面上的钛膜，该钛膜的平均膜厚为1μm以上300μm以下。

2.根据权利要求1所述的导电材料，其中，当在所述导电材料的表面上的任意五个位置中的每个位置处测量所述钛膜的厚度时，在所述任意五个位置中的每个位置处测得的钛膜的最大厚度和最小厚度在所述平均膜厚的±50％之内。

3.根据权利要求1或2所述的导电材料，其中

所述钛膜包括：

钛层；以及

包含合金的钛合金层，所述合金为钛和包含于所述基材中的金属的合金，并且

所述钛合金层设置于所述钛层和所述基材之间。

4.一种根据权利要求1至3中任一项所述的导电材料的制造方法，所述方法包括：

制备含有KF、KCl和K₂TiF₆的熔融盐浴的熔融盐浴形成步骤；

向所述熔融盐浴中供给Ti，以使所述Ti溶解于所述熔融盐浴中的溶解步骤；以及

通过使用设置于溶解有所述Ti的所述熔融盐浴中的阴极和阳极进行熔融盐电解，以使Ti电沉积在所述阴极的表面上的电解步骤，

在所述溶解步骤中，Ti的供应量至少为使所述熔融盐浴中的Ti⁴⁺通过归中反应而成为Ti³⁺所需要的最小量，其中该归中反应由下式(1)表示：

式(1)：

3Ti⁴⁺+Ti金属→4Ti³⁺，

在所述电解步骤中，使用这样的基材作为所述阴极，该基材至少在其表面具有导电性。

5.根据权利要求4所述的导电材料的制造方法，其中KF和KCl的摩尔混合比为10:90至90:10。

6.根据权利要求4或5所述的导电材料的制造方法，其中所述熔融盐浴中K₂TiF₆的含量为0.1摩尔％以上。

7.根据权利要求4至6中任意一项所述的导电材料的制造方法，其中所述溶解步骤中供给的Ti为海绵钛。

8.根据权利要求4至7中任意一项所述的导电材料的制造方法，其中所述阳极由Ti制成。