[发明专利]发光器件封装和光源单元有效
| 申请号: | 201780016558.0 | 申请日: | 2017-09-29 | 
| 公开(公告)号: | CN109983590B | 公开(公告)日: | 2023-07-11 | 
| 发明(设计)人: | 金基石;金元中;宋俊午;任仓满 | 申请(专利权)人: | 苏州立琻半导体有限公司 | 
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/52 | 
| 代理公司: | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人: | 滕锦林 | 
| 地址: | 215499 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 封装 光源 单元 | ||
实施例中公开的发光器件封装可以包括:相互隔开的第一至第四框架;布置到第一至第四通孔中的导电层,所述第一通孔至第四通孔分别贯穿第一至第四框架的上表面和下表面;支撑第一至第四框架的主体;第一发光器件,其包括电连接到第一框架的第一结合部和电连接到第二框架的第二结合部;和第二发光器件,其包括电连接到第三框架的第三结合部和电连接到第四框架的第四结合部,其中,第一至第四通孔在竖直方向上与第一至第四结合部重叠,并且第一至第四结合部接触导电层。
技术领域
实施例涉及一种发光器件封装、半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源单元。
背景技术
包括化合物(例如GaN、AlGaN等)的半导体器件可以具有很多优点,例如具有宽且可容易调节的带隙能量,使得半导体器件可以以各种方式用作发光器件、光接收器件、各种二极管等。
具体地,由于薄膜生长技术和器件材料已经得到发展,所以使用III-V或II-VI族化合物半导体材料的发光器件(例如发光二极管或激光二极管)具有能够实现各种波长带的光(例如红光、绿光、蓝光和紫外光)的优点。另外,使用III-V或II-VI族化合物半导体材料的发光器件(例如发光二极管或激光二极管)可以通过使用荧光材料或通过组合颜色来实现高效率的白色光源。与传统光源(例如荧光灯、白炽灯等)相比,这种发光器件具有低功耗、半永久寿命、响应速度快、安全性和环境友好性的优点。
另外,当通过使用III-V族或-VI-VI族化合物半导体材料制造光接收器件(例如光电检测器或太阳能电池)时,因为器件材料的材料已经得到发展,所以在各种波长范围内的光被吸收以产生光学电流(optical current),从而可以使用从伽马射线到无线电波长区域的各种波长范围的光。此外,这种光接收器件可以具有响应速度快、安全性、环境友好性和器件材料容易控制的优点,从而光接收器件可以容易地用于电力控制、微波电路或通信模块。
因此,半导体器件的应用被扩展到光学通信传输模块的传输模块、用作构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的替代的发光二极管背光、用作荧光灯或白炽灯的替代的白色光发光二极管照明装置、车辆前灯、信号灯和用于检测气体或火的传感器。另外,半导体器件的应用可以扩展到高频应用电路、其它的电力控制器件和通信模块。
发光器件可以用作具有通过使用元素周期表的III-V或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的p-n结二极管,并且可以通过控制化合物半导体的组成比率而提供各种波长。
例如,氮化物半导体表现出优良的热稳定性和宽的带隙能量,因而氮化物半导体已经在光学器件和高功率电子器件领域受到关注。特别地,采用氮化物半导体的蓝色、绿色和UV发光器件已经被商业化并广泛地使用。
例如,紫外发光器件可以用作发射分布在200nm到400nm的波长范围内的光的发光二极管,在波长带中的短波长的情形中用于杀菌和净化,并且在长波长的情形中用于曝光机、固化机等。
紫外线可以按照长波长的次序被划分成UV-A(315nm到400nm)、UV-B(280nm到315nm)和UV-C(200nm至280nm)这三个组。UV-A(315nm~400nm)已经应用于各种领域,例如工业用UV固化、印刷油墨固化、曝光机、鉴别假冒、光催化消毒、特殊照明(水族/农业等);UV-B(280nm到315nm)已用于医疗用途,UV-C(200nm~280nm)已应用于空气净化、水净化、杀菌产品等。
同时,由于已经要求能够提供高输出的半导体器件,已研究了能够通过应用高功率源来增加输出的半导体器件。
另外,已研究了用于提高半导体器件的光提取效率和提高半导体器件封装中的封装级中的发光强度的方法。此外,在半导体器件封装中,已经对增强封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法进行了研究。
另外,在半导体器件封装中,已经对通过提高工艺效率和改变结构来降低制造成本并提高制造产量的方法进行了研究。
发明内容
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