[发明专利]通过使用电压检测器和信号熔丝保护MOSFET继电器的装置和方法

权利要求书

1.一种用于保护MOSFET继电器的装置，所述装置包括：

电压检测器，所述电压检测器计算被电传导到电阻器的电流的电压值并且确定所述电压值是否大于阈值；和

短路单元，所述短路单元根据所述电压检测器的确定结果使电路上的熔丝短路，

其中，当所述熔丝被短路时，电传导到所述MOSFET继电器的电流被阻断，所述MOSFET继电器被连接到所述电阻器。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电压检测器包括

运算放大器(OP Amp)，所述运算放大器放大所述电压值并且输出放大的电压值；和

比较器，所述比较器确定所述放大的电压值是否大于预定的阈值放大电压值。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述短路单元包括

控制器，所述控制器接收来自所述电压检测器的加热控制信号；和

加热元件，所述加热元件与所述熔丝相连接并且通过从所述控制器施加的加热信号产生热量，并且

当所述加热元件产生所述热量时，所述熔丝被短路。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，作为所述比较器的确定结果，当所述放大的电压值大于所述阈值放大电压值时，所述电压检测器将所述加热控制信号施加到所述控制器，并且所述控制器通过所述加热控制信号对所述加热元件加热。

5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述控制器是场效应晶体管(FET)，并且

所述加热元件是包括PTC的加热电阻器。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电阻器是分流电阻器。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述短路单元是信号熔丝。

8.一种用于保护MOSFET继电器的方法，所述方法包括：

通过电压检测器计算被电传导到电阻器的电流的电压值并且确定所述电压值是否大于阈值；和

根据所述电压检测器的确定结果，通过短路单元使电路上的熔丝短路。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，确定所述电压值是否大于所述阈值包括

测量电传导到所述电阻器的所述电流的电流值；

基于所述电流值和所述电阻器的电阻值计算所述电流的所述电压值；

通过运算放大器(OP Amp)将所述电压值放大到放大的电压值；以及

通过比较器确定所述放大的电压值是否大于预定的阈值放大电压值。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，使所述熔丝短路包括

通过所述电压检测器将加热控制信号施加到所述短路单元；

通过包括在所述短路单元中的控制器对加热元件加热；以及

当所述加热元件被加热时，使所述熔丝短路。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，确定所述放大的电压值是否大于所述预定的阈值放大电压值包括：基于对应于500至1000安培的电流值的阈值电流范围，设置所述阈值放大电压值。