[发明专利]多孔质支撑体、多孔质支撑体的制造方法、分离膜结构体以及分离膜结构体的制造方法

权利要求书

1.一种多孔质支撑体，其中，

具备：基材、最表层以及支撑层，该支撑层配置于所述基材与所述最表层之间并与所述最表层相接触，

所述最表层的气孔率相对于所述支撑层的气孔率的比值为1.08以上1.40以下，

所述最表层的厚度相对于所述支撑层的厚度的比值为0.025以上0.9以下。

2.根据权利要求1所述的多孔质支撑体，其中，

所述支撑层的气孔率为12％以上，

所述最表层的气孔率为30％以上。

3.根据权利要求2所述的多孔质支撑体，其中，

所述支撑层的气孔率为35％以上，

所述最表层的气孔率为38％以上。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的多孔质支撑体，其中，

所述支撑层的厚度为10μm以上，

所述最表层的厚度为0.1μm以上。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的多孔质支撑体，其中，

所述支撑层的气孔率为42％以下。

6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的多孔质支撑体，其中，

所述最表层的气孔率为48％以下。

7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的多孔质支撑体，其中，

所述支撑层的厚度为250μm以下。

8.根据权利要求1至3中的任意一项所述的多孔质支撑体，其中，

所述最表层的厚度为20μm以下。

9.一种多孔质支撑体的制造方法，其中，具备：

形成基材的工序；

通过对配置在所述基材上的支撑层的成型体进行烧成而形成所述支撑层的工序；以及

通过对配置在所述支撑层的表面上的最表层的成型体进行烧成而形成所述最表层的工序，

在形成所述最表层的工序中，使所述最表层的气孔率相对于所述支撑层的气孔率的比值为1.08以上1.40以下，并且，使所述最表层的厚度相对于所述支撑层的厚度的比值为0.025以上0.9以下。

10.根据权利要求9所述的多孔质支撑体的制造方法，其中，

使形成所述最表层的工序中的所述最表层的所述成型体的烧成温度比形成所述支撑层的工序中的所述支撑层的所述成型体的烧成温度低。

11.根据权利要求9或10所述的多孔质支撑体的制造方法，其中，

使形成所述最表层的工序中的所述最表层的所述成型体的烧成时间比形成所述支撑层的工序中的所述支撑层的所述成型体的烧成时间短。

12.一种分离膜结构体，其中，具备：

多孔质支撑体，该多孔质支撑体具有基材、最表层、以及配置在所述基材与所述最表层之间并与所述最表层相接触的支撑层；以及

分离膜，该分离膜形成在所述最表层上，

所述最表层的气孔率相对于所述支撑层的气孔率的比值为1.08以上1.40以下，

所述最表层的厚度相对于所述支撑层的厚度的比值为0.025以上0.9以下。

13.根据权利要求12所述的分离膜结构体，其中，

所述最表层在与所述分离膜的接合区域具有所述分离膜的一部分进入而得到的复合层，

所述复合层的厚度为0.1μm～1.0μm。

14.一种分离膜结构体的制造方法，其中，具备：

形成基材的工序；

通过对配置在所述基材上的支撑层的成型体进行烧成而形成所述支撑层的工序；

通过对配置在所述支撑层的表面上的最表层的成型体进行烧成而形成所述最表层的工序；以及

在所述最表层的表面上形成分离膜的工序，

在形成所述最表层的工序中，使所述最表层的气孔率相对于所述支撑层的气孔率的比值为1.08以上1.40以下，并且，使所述最表层的厚度相对于所述支撑层的厚度的比值为0.025以上0.9以下。