[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
申请号: | 201780014355.8 | 申请日: | 2017-02-14 |
公开(公告)号: | CN108713239B | 公开(公告)日: | 2023-02-14 |
发明(设计)人: | 宗德皓太 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
一种基板处理方法,用于从在表面上形成有具有硬化层的抗蚀剂的基板上去除该抗蚀剂,包括:基板保持工序,保持所述基板;以及抗蚀剂剥离工序,对用于混合多种流体生成液滴的多流体喷嘴,供给臭氧气体与过热水蒸气,并且使含有通过将臭氧气体与过热水蒸气混合而生成的臭氧水的液滴的、臭氧气体与过热水蒸气的混合气体,从所述多流体喷嘴向所述基板的表面喷出,由此从所述基板的表面上剥离抗蚀剂。
技术领域
本发明涉及用于从在表面形成了具有硬化层的抗蚀剂的基板上去除该抗蚀剂的基板处理方法及基板处理装置。作为处理对象的基板包括例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display,场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
以往,提出一种在逐张以处理基板的单张式基板处理装置中,通过将具有高氧化力的抗蚀剂去除液供给至基板表面,无需灰化就能从基板表面去除抗蚀剂的方法。在进行了高剂量的离子注入的晶片上,存在抗蚀剂发生碳化变质(硬化)、在抗蚀剂表面形成有硬化层的情况。已提出例如下述专利文献1及2所记载的方法,即使在表面存在具有硬化层的抗蚀剂,仍可以无需灰化就能从基板表面去除该抗蚀剂。
专利文献1记载了一种破坏抗蚀剂表面的硬化层,而对基板表面供给高温的硫酸过氧化氢水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:SPM)的方法。
此外,下述专利文献2记载了一种在二流体喷嘴中混合水蒸气与水以生成水的液滴,并将该水的液滴供给至抗蚀剂的方法。
现有技术文献
专利文献1:日本专利特开2009-016497号公报
专利文献2:日本专利特开2008-288355号公报
发明内容
发明所要解决的问题
专利文献1记载的方法中,使用SPM作为抗蚀剂去除液。然而,SPM等含硫酸液对环境负担大。因此,在使用SPM等含硫酸液作为处理液时,有废液处理的问题。因此,期望使用不含硫酸的处理流体,从基板表面剥离具有硬化层的抗蚀剂。
另一方面,在专利文献2记载的方法中,未使用含硫酸液作为处理流体。然而,为了仅通过液滴的物理力将具有硬化层的抗蚀剂从基板表面去除,需要将来自二流体喷嘴的液滴的喷出压力设定为极大,此时,有对基板表面造成较大损伤之虞。
因此,本发明的目的在于提供一种基板处理方法及基板处理装置,能够使用不含硫酸的处理流体从基板表面良好地去除在表面具有硬化层的抗蚀剂,而不对基板表面造成较大损伤。
解决问题的技术方案
本发明提供一种基板处理方法,包括:基板保持工序,保持所述基板;以及抗蚀剂剥离工序,对用于混合多种流体生成液滴的多流体喷嘴,供给臭氧气体与过热水蒸气,并且使含有通过将臭氧气体与过热水蒸气混合而生成的臭氧水的液滴的、臭氧气体与过热水蒸气的混合气体,从所述多流体喷嘴向所述基板的表面喷出,由此从所述基板的表面上剥离抗蚀剂。
过热水蒸气是指温度超过水的沸点的水蒸气(以下在本说明书中相同)。
根据该方法,在多流体喷嘴中,通过与臭氧气体的混合,使过热水蒸气被冷却而凝结,生成液滴。通过在该液滴中溶入臭氧气体而生成臭氧水的液滴。由此,从多流体喷嘴喷出含有臭氧水的液滴的、臭氧气体与过热水蒸气的混合气体,并将该混合气体供给至抗蚀剂。
通过臭氧水的液滴对硬化层的碰撞,硬化层被破坏。通过过热水蒸气凝结而形成的臭氧水的液滴的粒径小。因此,能够将对基板表面造成的损伤抑制为较小,并且能够破坏硬化层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780014355.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于控制磁场中带电粒子的设备和方法
- 下一篇:掩模一体型表面保护带
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造