[发明专利]基板处理方法及基板处理装置有效
申请号: | 201780014355.8 | 申请日: | 2017-02-14 |
公开(公告)号: | CN108713239B | 公开(公告)日: | 2023-02-14 |
发明(设计)人: | 宗德皓太 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法,用于从在表面上形成有具有硬化层的抗蚀剂的基板上去除该抗蚀剂,其中,所述基板处理方法包括:
基板保持工序,保持所述基板;以及
抗蚀剂剥离工序,对用于混合多种流体生成液滴并具有壳体的多流体喷嘴供给臭氧气体与过热水蒸气,并且,在所述多流体喷嘴的所述壳体的内部,使臭氧气体与过热水蒸气混合,通过臭氧气体冷却该过热水蒸气而生成臭氧水的液滴,将含有所生成的臭氧水的液滴的、臭氧气体与过热水蒸气的混合气体,从所述多流体喷嘴向所述基板的表面喷出,由此从所述基板的表面上剥离所述抗蚀剂。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,对所述多流体喷嘴供给的臭氧气体为常温。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,所述基板处理方法还包括:抗蚀剂残渣去除工序,对所述多流体喷嘴供给处理液,从所述多流体喷嘴向剥离了所述抗蚀剂的所述基板的表面喷出所述处理液,由此从所述基板的表面上去除抗蚀剂残渣。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其中,所述抗蚀剂残渣去除工序还包括:处理液液滴喷出工序,将所述处理液与过热水蒸气供给至所述多流体喷嘴,由此向所述基板的表面喷出所述处理液的液滴。
5.如权利要求3所述的基板处理方法,其中,所述处理液包括药液。
6.一种基板处理装置,其中,所述基板处理装置包括:
基板保持单元,保持基板,在所述基板的表面上形成有具有硬化层的抗蚀剂;
多流体喷嘴,用于混合多种流体并生成液滴,向所述基板的表面喷出生成的所述液滴,并具有壳体;
臭氧气体供给单元,用于对所述多流体喷嘴供给臭氧气体;
过热水蒸气供给单元,用于对所述多流体喷嘴供给过热水蒸气;以及
控制装置,控制所述臭氧气体供给单元与所述过热水蒸气供给单元,
所述控制装置执行抗蚀剂剥离工序,所述抗蚀剂剥离工序中,对所述多流体喷嘴供给臭氧气体与过热水蒸气,并且,在所述多流体喷嘴的所述壳体的内部,使臭氧气体与过热水蒸气混合,通过臭氧气体冷却该过热水蒸气而生成臭氧水的液滴,将含有所生成的臭氧水的液滴的、臭氧气体与过热水蒸气的混合气体,从所述多流体喷嘴向所述基板的表面喷出,由此从所述基板的表面上剥离所述抗蚀剂。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,从所述臭氧气体供给单元对所述多流体喷嘴供给的臭氧气体为常温。
8.根据权利要求6或7所述的基板处理装置,其中,所述基板处理装置还包括:处理液供给单元,用于对所述多流体喷嘴供给处理液,
所述控制装置的控制对象还包含所述处理液供给单元,
所述控制装置还执行:抗蚀剂残渣去除工序,对所述多流体喷嘴供给所述处理液,从所述多流体喷嘴向剥离了所述抗蚀剂的所述基板的表面喷出所述处理液,由此从所述基板的表面上去除抗蚀剂残渣。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,所述控制装置执行所述抗蚀剂残渣去除工序所包含的处理液液滴喷出工序,所述处理液液滴喷出工序中,对所述多流体喷嘴供给所述处理液与过热水蒸气,由此向所述基板的表面喷出所述处理液的液滴。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,所述处理液包括药液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造