[发明专利]激光光源装置有效

专利信息
申请号: 201780014109.2 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN108701961B 公开(公告)日: 2020-07-14
发明(设计)人: 清水昭宏 申请(专利权)人: 优志旺电机株式会社
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;H01S5/068
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 高培培;车文
地址: 日本国东京*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 激光 光源 装置
【权利要求书】:

1.一种激光光源装置,其特征在于,具有:

光源部,构成为包括半导体激光元件,所述半导体激光元件在从允许下限温度到允许上限温度为止的温度下射出规定的波段的激光;

冷却部,连结于所述光源部;

元件温度测定部,对所述半导体激光元件的温度即元件温度进行测定;

冷却部温度测定部,对作为所述冷却部的温度的冷却部温度进行测定,所述冷却部温度是从所述半导体激光元件离开的部位的温度;以及

控制部,对所述冷却部进行控制,

所述控制部是以使所述冷却部温度接近设定温度的方式控制所述冷却部的结构,

所述控制部使所述设定温度降低是在所述元件温度超过所述允许上限温度的情况下进行的,

所述控制部使所述设定温度提高是在所述元件温度低于所述允许下限温度的情况下进行的。

2.根据权利要求1所述的激光光源装置,其特征在于,

所述控制部使所述设定温度降低是在所述元件温度以一定时间超过所述允许上限温度的情况下进行的,

在所述元件温度未以一定时间超过所述允许上限温度的情况下,所述控制部维持所述设定温度。

3.根据权利要求1所述的激光光源装置,其特征在于,

所述控制部使所述设定温度提高是在所述元件温度以一定时间低于所述允许下限温度的情况下进行的,

在所述元件温度未以一定时间低于所述允许下限温度的情况下,所述控制部维持所述设定温度。

4.根据权利要求2所述的激光光源装置,其特征在于,

所述控制部使所述设定温度提高是在所述元件温度以一定时间低于所述允许下限温度的情况下进行的,

在所述元件温度未以一定时间低于所述允许下限温度的情况下,所述控制部维持所述设定温度。

5.根据权利要求1所述的激光光源装置,其特征在于,

所述控制部使所述设定温度降低是在所述元件温度超过所述允许上限温度且所述设定温度超过下限值的情况下进行的,

在所述元件温度超过所述允许上限温度且所述设定温度未超过所述下限值的情况下,所述控制部维持所述设定温度。

6.根据权利要求2所述的激光光源装置,其特征在于,

所述控制部使所述设定温度降低是在所述元件温度超过所述允许上限温度且所述设定温度超过下限值的情况下进行的,

在所述元件温度超过所述允许上限温度且所述设定温度未超过所述下限值的情况下,所述控制部维持所述设定温度。

7.根据权利要求3所述的激光光源装置,其特征在于,

所述控制部使所述设定温度降低是在所述元件温度超过所述允许上限温度且所述设定温度超过下限值的情况下进行的,

在所述元件温度超过所述允许上限温度且所述设定温度未超过所述下限值的情况下,所述控制部维持所述设定温度。

8.根据权利要求4所述的激光光源装置,其特征在于,

所述控制部使所述设定温度降低是在所述元件温度超过所述允许上限温度且所述设定温度超过下限值的情况下进行的,

在所述元件温度超过所述允许上限温度且所述设定温度未超过所述下限值的情况下,所述控制部维持所述设定温度。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的激光光源装置,其特征在于,

所述控制部具有:

存储部,存储所述允许上限温度及所述允许下限温度;

设定温度决定部,对由所述元件温度测定部测定到的所述元件温度与所述允许上限温度及所述允许下限温度中的至少一方进行比较,来决定所述设定温度;以及

电流值决定部,基于决定出的所述设定温度与由所述冷却部温度测定部测定到的所述冷却部温度之差,来决定向所述冷却部供给的电流值,

所述冷却部与所述电流值的电流相应地冷却所述光源部。

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