[发明专利]相关电子材料的阻挡层

权利要求书

1.一种方法，包括：

在电极上方形成基本上导电的材料的层，以防止在所述电极和相关电子材料之间形成基本上不导电的层；以及

在所述基本上导电的材料的层上形成所述相关电子材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基本上导电的材料包括基本上导电的金属氧化物。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述电极上方形成所述基本上导电的材料的层包括在所述电极上方沉积金属材料的层，并且使所述金属材料暴露于氧化环境材料，以至少部分地产生所述基本上导电的金属氧化物材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述金属材料包括Ir、Re、Ti、W或Ru或其任何组合。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述基本上导电的金属氧化物包括IrO_xN_yC_z、ReO_xN_yC_z、RuO_xN_yC_z、WO_xN_yC_z或TiO_xN_yC_z(x,y,z>0)或其任何组合。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氧化环境材料包括O₂、O₃、NO、N₂O、O⁺、NO₂、H₂O₂或H₂O或其任何组合。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

在所述相关电子材料上方形成第二层基本上导电的材料；以及

在所述基本上导电的材料的第二层上方形成第二电极，其中所述基本上导电的材料的第二层防止在所述第二电极和所述相关电子材料之间形成另外的基本上不导电的层。

8.一种装置，包括：

位于电极上的基本上导电的材料的层，以防止在所述电极和相关电子材料之间形成基本上不导电的层，其中所述相关电子材料位于所述基本上导电的材料的层的上方。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述基本上导电的材料包括基本上导电的金属氧化物、金属碳化物、金属氧氮化物、金属碳氧化物或金属氧氮化物材料或其任何组合。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述基本上导电的金属氧化物、金属碳化物、金属氧氮化物、金属碳氧化物或金属氧氮化物材料包括待暴露于氧化环境材料的含金属的材料。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述含金属的材料包括Ir、Re、W、Ti或Ru或其任何组合。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述基本上导电的金属氧化物包括IrO_xN_yC_z、ReO_xN_yC_z、RuO_xN_yC_z、WO_xN_yC_z或TiO_xN_yC_z(x,y,z>0)或其任何组合。