[发明专利]经注入的光致抗蚀剂的剥离处理方法

说明书

提供了一种在例如离子注入之后从衬底去除光致抗蚀剂的方法。在一个示例性实现中，方法可以包括将衬底放置到处理室中，所述衬底具有本体光致抗蚀剂以及在本体光致抗蚀剂上形成的硬壳。方法可以包括在处理室中开始第一剥离处理。方法可以包括在第一剥离处理期间使用与等离子体相关联的光发射信号。方法可以包括至少部分地基于光发射信号来识别第一剥离处理的终点。方法可以包括至少部分地基于终点来终止第一剥离处理。方法可以包括开始第二剥离处理以从衬底去除光致抗蚀剂。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年2月26日提交的题为“Implanted Photoresist StrippingProcess By Layers Using Inductively Coupled Strippers”的美国申请第62/300,370号的优先权的权益。本申请要求2016年3月2日提交的题为“Implanted PhotoresistStripping Process”的美国申请第62/302,485号的优先权的权益，该申请通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容总体上涉及半导体制造，更具体地涉及在半导体处理中去除光致抗蚀剂和残留物的过程。

背景技术

等离子体处理被广泛用于半导体工业中，用于对半导体晶片和其他衬底进行沉积、蚀刻、抗蚀剂去除以及相关处理。等离子体处理设备可以被用于例如集成电路制造中的光致抗蚀剂剥离应用中。用于高级节点(例如，20mm或更小的节点)的离子注入之后的光致抗蚀剂应用可能带来挑战。例如，在在注入期间已经接受了大部分离子剂量的光致抗蚀剂上可能会形成硬化的“硬壳(crust)”。未经注入的剩余光致抗蚀剂(例如，“本体(bulk)”光致抗蚀剂)可能被硬壳部分地或完全地包裹。

在衬底进行热退火以进行掺杂剂活化之前，可能希望干净地去除离子注入之后的光致抗蚀剂，使得没有残留物，因为残留物会导致产率下降。在某些情况下，这可以通过以下方式实现：(1)等离子剥离，然后湿法清洗；(2)仅等离子剥离；或者(3)仅湿法剥离。

在等离子体剥离器中的抗灰分剥离处理可以是各向同性处理。抗灰分剥离处理可以去除光致抗蚀剂底部的硬壳，然后可以去除本体光致抗蚀剂。如果使用等离子体剥离处理来完全地去除光致抗蚀剂，则由于在等离子剥离期间残留物硬化，一些残留物可能不会被随后的湿法剥离清除。结果，对于高级节点(例如，20nm/16nm节点)，许多制造商已经转换成仅在离子注入抗蚀剂剥离之后使用湿法剥离。仅使用湿法剥离可以减少氧化。然而，如果仅通过湿法剥离来去除光致抗蚀剂，则可能需要更具侵蚀性的化学物质以去除在离子注入期间形成的硬壳层。这会侵蚀衬底并引发缺陷。

发明内容

本公开内容的实施方式的各方面和优点将被部分地在以下描述中阐述，或者可以从描述中获知，或者可以通过实施方式的实践来学习到。

本公开内容的一个示例性方面是针对用于从衬底去除光致抗蚀剂的剥离方法。该方法包括将衬底放置到处理室中，所述衬底具有本体光致抗蚀剂和形成在本体光致抗蚀剂上的硬壳。该方法包括在处理室中开始第一剥离处理。该方法包括在第一剥离处理期间使用(access)与等离子体相关联的光发射信号。该方法包括至少部分地基于光发射信号来识别与硬壳的至少一部分的去除相关联的终点。该方法包括至少部分地基于终点来终止第一剥离处理。该方法包括开始第二剥离处理以从衬底去除光致抗蚀剂。

可以对本公开内容的该示例性实施方式进行变化和修改。其他示例性方面是针对从衬底去除光致抗蚀剂的系统、方法、处理和装置。

参照以下描述和所附权利要求，将更好地理解各种实施方式的这些和其他特征、方面和优点。包含在本说明书中并构成其一部分的附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于解释相关原理。

附图说明

在说明书中阐述了针对本领域普通技术人员的实施方式的详细讨论，其参照了附图，在附图中：