[发明专利]经注入的光致抗蚀剂的剥离处理方法

权利要求书

1.一种从衬底去除光致抗蚀剂的方法，包括：

将衬底放置到处理室中，所述衬底具有本体光致抗蚀剂以及在所述本体光致抗蚀剂上形成的硬壳；

在所述处理室中开始第一剥离处理；

在所述第一剥离处理期间使用与等离子体相关联的光发射信号,其中所述光发射信号包括高发射阶段，所述高发射阶段之后是到低发射阶段的下降，相对于所述低发射阶段，所述高发射阶段与较高的光发射相关联；

至少部分地基于所述光发射信号来识别与所述硬壳的至少一部分的去除相关联的终点,其中所述终点对应于所述光发射信号中的表示所述硬壳的顶部的去除的点，并且所述光发射信号中的表示所述硬壳的顶部的去除的所述点位于所述光发射信号的所述高发射阶段期间出现的局部最小值的阈值以内；

至少部分地基于所述终点来终止所述第一剥离处理；以及

开始第二剥离处理以从所述衬底去除所述光致抗蚀剂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一剥离处理能够操作用于从所述本体光致抗蚀剂去除所述硬壳的至少一部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二剥离处理能够操作用于去除所述本体光致抗蚀剂的至少一部分。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一剥离处理是将所述衬底暴露于所述处理室中诱发的等离子体的等离子体剥离处理。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二剥离处理是湿法剥离处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光发射信号与在300nm至800nm范围内的一个或更多个波长相关联。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述终点对应于所述光发射信号中的表示所述硬壳的去除的点。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述光发射信号中的表示所述硬壳的去除的所述点位于所述光发射信号中的从所述高发射阶段下降之后的局部最小值的阈值以内。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括在所述第二剥离处理之后执行后续处理过程。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述后续处理过程包括退火过程。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硬壳是在离子注入过程期间形成的。

12.一种用于从衬底去除光致抗蚀剂的方法，包括：

将衬底放置到等离子体处理室中，所述衬底具有本体光致抗蚀剂以及在所述本体光致抗蚀剂层上形成的硬壳；

在所述等离子体处理室中开始等离子体剥离处理；

在与光发射信号中的表示所述硬壳的去除的点对应的终点处，终止所述等离子体剥离处理，其中所述光发射信号包括高发射阶段，所述高发射阶段之后是到低发射阶段的下降，相对于所述低发射阶段，所述高发射阶段与较高的光发射相关联，并且其中在所述光发射信号中的表示所述硬壳的去除的所述点位于所述光发射信号中的从所述高发射阶段下降之后的局部最小值的阈值以内；以及

在终止所述等离子体剥离处理之后，开始湿法剥离处理以从所述衬底去除所述本体光致抗蚀剂。

13.一种用于从衬底去除光致抗蚀剂的剥离方法，包括：

将衬底放置到等离子体处理室中，所述衬底具有本体光致抗蚀剂以及在所述本体光致抗蚀剂层上形成的硬壳；

在所述等离子体处理室中开始等离子体剥离处理；

在与光发射信号中的表示所述硬壳的顶部的去除的点对应的终点处，终止所述等离子体剥离处理，其中所述光发射信号包括高发射阶段，所述高发射阶段之后是到低发射阶段的下降，相对于所述低发射阶段，所述高发射阶段与较高的光发射相关联，并且其中所述光发射信号中的表示所述硬壳的去除的所述点位于所述高发射阶段期间的局部最小值的阈值以内；以及

在终止所述等离子体剥离处理之后，开始湿法剥离处理以从所述衬底去除所述本体光致抗蚀剂和所述硬壳的剩余部分。