[发明专利]半导体晶圆的洗净方法

说明书

本发明涉及一种半导体晶圆的洗净方法，使用含有SC‑2溶液的药液槽而洗净半导体晶圆，该洗净方法使用多个该药液槽，且在该多个药液槽所含有的SC‑2溶液之中，最后使用的药液槽所含有的SC‑2溶液中的HCl浓度为最低，而洗净该半导体晶圆。由此提供能于SC‑2洗净半导体晶圆时，不使半导体晶圆表面的金属杂质等级恶化，能提升微粒等级的半导体晶圆的洗净方法。

技术领域

本发明涉及半导体晶圆的洗净方法。

背景技术

作为硅晶圆等的半导体晶圆的洗净方法，被称为RCA洗净的使用SC-1(StandardCleaning 1)溶液及SC-2(Standard Cleaning 2)的洗净方法自以往被广泛地使用。SC-1溶液为氨水与过氧化氢的水溶液，具有半导体晶圆表面的微粒去除性能非常优越的特征。SC-2溶液为盐酸与过氧化氢的水溶液，负责金属杂质去除的作用。

例如，专利文献1所记载的方法为：作为使用SC-1溶液及SC-2溶液的半导体晶圆的洗净方法，于通过SC-2溶液洗净(SC-2洗净)时，为了防止于半导体晶圆的表面附着阴离子，而以SC-1溶液进行洗净(SC-1洗净)而使阳离子化的金属残留于半导体晶圆的表面。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2005-64276号公报

发明内容

[发明所欲解决的问题]

由于SC-1溶液为碱性溶液的缘故，于SC-1洗净时，晶圆表面与各种微粒的表面电荷因皆带有负电荷的缘故，使微粒的附着由于静电斥力而被抑制。然而，由于SC-2溶液为酸性溶液的缘故，于SC-2洗净时，晶圆表面与微粒的表面电荷并不一定成为同电性，而有微粒容易附着的问题。再者，添加于SC-2溶液的HCl的浓度愈浓，SC-2洗净时间愈长，微粒会变得愈容易附着于晶圆的表面。虽然能通过缩短SC-2洗净时间，降低SC-2溶液中的HCl浓度而抑制微粒等级的恶化，但是在此情况下，由于通过酸的金属去除效果会降低的缘故，而导致金属杂质等级会恶化。

鉴于上述的问题点，本发明的目的在于提供一种半导体晶圆的洗净方法，能于SC-2洗净半导体晶圆时，不使半导体晶圆表面的金属杂质等级恶化，且提升微粒等级。

[解决问题的技术手段]

为了达成上述目的，本发明提供一种半导体晶圆的洗净方法，使用含有SC-2溶液的药液槽而洗净半导体晶圆，该洗净方法使用多个该药液槽，且在该多个药液槽所含有的SC-2溶液之中，最后使用的药液槽所含有的SC-2溶液中的HCl浓度为最低，而洗净该半导体晶圆。

通过如此的半导体晶圆的洗净方法，多个药液槽所含有的SC-2溶液之中，由于最后使用的药液槽所含有的SC-2溶液中的HCl浓度为最低的缘故，而使微粒难于附着于SC-2洗净后的半导体晶圆表面。再者，最后使用的药液槽之前的槽，其HCl浓度高于最后的槽的缘故，除了能充分地进行金属杂质的去除以外，通过使用多个药液槽进行SC-2洗净，在第一段的药液槽之中无法脱落完全的金属杂质能在后段去除。另外，在下文中，含有SC-1溶液的药液槽亦被称为SC-1槽，含有SC-2溶液的药液槽亦被称为SC-2槽。

再者，第二段以后的药液槽所含有的SC-2溶液中的HCl浓度低于第一槽为佳。

通过如此的半导体晶圆的洗净方法，在确实地去除金属杂质的同时，能更确实地抑制半导体晶圆表面的微粒等级的恶化。

再者，该半导体晶圆为硅晶圆为佳。

本发明的半导体晶圆的洗净方法，能特别合适地用于洗净硅晶圆。

〔对照现有技术的功效〕

通过本发明的半导体晶圆的洗净方法，不使金属杂质等级恶化而能提升微粒等级。