[发明专利]半导体晶圆的洗净方法在审
| 申请号： | 201780012827.6 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN108701603A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 更级晋;高野智史 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体晶圆 洗净 药液槽 半导体晶圆表面 方法使用 金属杂质 恶化 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体晶圆的洗净方法，使用含有SC-2溶液的药液槽而洗净半导体晶圆，其中该洗净方法是：使用多个该药液槽，且在该多个药液槽所含有的SC-2溶液之中，最后使用的药液槽所含有的SC-2溶液中的HCl浓度为最低，而洗净该半导体晶圆。
2.如权利要求1所述的半导体晶圆的洗净方法，其中第二段以后的药液槽所含有的SC-2溶液中的HCl浓度低于第一槽。
3.如权利要求1或2所述的半导体晶圆的洗净方法，其中该半导体晶圆为硅晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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