[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号: | 201780012577.6 | 申请日: | 2017-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN108701602B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
| 发明(设计)人: | 阿部博史;林豊秀;小林健司 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其具备:
旋转基座,设置有保持基板的夹具构件;
马达,使上述旋转基座绕旋转轴线旋转;
加热器单元,位于被上述夹具构件保持的基板与上述旋转基座的上表面之间;
处理液供给单元,朝向被上述夹具构件保持的基板的表面供给处理液;以及
微波产生单元,从上述加热器单元向上述基板的下表面照射微波,
上述微波产生单元包括:
微波产生构件,包括设置于上述加热器单元的波导管;
微波振荡器,设置于上述加热器单元的外部;以及
同轴缆线,连接上述波导管与上述微波振荡器,
在上述旋转基座的中央部形成有贯通孔,
在上述加热器单元的下表面结合有沿着上述旋转轴线延伸的支撑轴,上述支撑轴插通于上述贯通孔,
上述同轴缆线通过插通上述支撑轴而连接上述波导管与上述微波振荡器。
2.根据权利要求1所记载的基板处理装置,其中,
上述波导管的上表面被与上述基板的下表面相向的保护构件保护。
3.根据权利要求1或2所记载的基板处理装置,其中,
上述处理液是向基板的上表面供给的有机溶剂,
上述加热器单元在利用上述有机溶剂进行基板处理时对基板加热。
4.根据权利要求3所记载的基板处理装置,其中,
上述处理液供给单元在上述基板的上表面形成上述有机溶剂的液膜,
上述加热器单元至少在上述有机溶剂的液膜形成的时间点对上述基板加热,由此,在上述有机溶剂的液膜与基板的上表面之间形成气膜层,从而使上述有机溶剂的液膜从上述基板的上表面浮起。
5.一种基板处理方法,其中,
具备:
保持工序,利用在旋转基座上设置的夹具构件来保持基板;
旋转工序,通过马达使上述旋转基座绕旋转轴线旋转;
加热工序,利用位于被上述夹具构件保持的基板与上述旋转基座的上表面之间的加热器单元来加热基板;
处理液供给工序,朝向被上述夹具构件保持的基板的表面供给处理液,
所述加热工序包括:微波产生工序,从设置于上述加热器单元的微波产生单元向上述基板的下表面照射微波,
上述微波产生单元包括:
微波产生构件,包括设置于上述加热器单元的波导管;
微波振荡器,设置于上述加热器单元的外部;以及
同轴缆线,连接上述波导管与上述微波振荡器,
在上述旋转基座的中央部形成有贯通孔,
在上述加热器单元的下表面结合有沿着上述旋转轴线延伸的支撑轴,上述支撑轴插通于上述贯通孔,
上述同轴缆线通过插通上述支撑轴而连接上述波导管与上述微波振荡器。
6.根据权利要求5所记载的基板处理方法,其中,
上述波导管的上表面被与上述基板的下表面相向的保护构件保护。
7.根据权利要求5或6所记载的基板处理方法,其中,
上述处理液是向基板的上表面供给的有机溶剂,
在上述加热工序中,通过上述加热器单元在利用上述有机溶剂进行基板处理时对基板加热。
8.根据权利要求7所记载的基板处理方法,其中,
上述处理液供给工序包括:液膜形成工序,在上述基板的上表面形成上述有机溶剂的液膜,
在上述加热工序中,通过上述加热器单元至少在上述有机溶剂的液膜形成的时间点对上述基板加热,由此,在上述有机溶剂的液膜与基板的上表面之间形成气膜层,从而使上述有机溶剂的液膜从上述基板的上表面浮起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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