[发明专利]含氮的相关电子材料设备的制造

说明书

本技术总体涉及用于例如执行开关功能的相关电子材料的制造。在实施例中，气态形式的前体可以在腔室中使用以构建包括各种阻抗特性的相关电子材料的膜。

技术领域

本技术总体涉及相关电子设备，并且可以更具体地涉及制造相关电子设备的方法，这些相关电子设备诸如可以用在开关、存储器电路等中展现出期望的阻抗特性。

背景技术

例如可以在各种电子设备类型中找到集成电路设备，诸如电子开关设备。例如，存储器和/或逻辑设备可以包括可以用在计算机、数码相机、蜂窝电话、平板设备、个人数字助理等中的电子开关。设计者在考虑对于任何特定应用的适用性时可能感兴趣的、与(诸如可以被包括在存储器和/或逻辑设备中的)电子开关设备有关的因素可以包括例如物理尺寸、存储密度、工作电压、阻抗范围和/或功耗。设计者可能感兴趣的其他示例因素可以包括制造成本、制造难易度、可扩展性和/或可靠性。此外，存在对于表现出低功率和/或高速特性的存储器和/或逻辑设备的不断增长的需求。

附图说明

在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护所要求保护的主题。然而，在结合附图阅读时通过参考以下详细描述可以最好地理解操作的安排和/或方法以及其目标、特征和/或优点，其中：

图1A是示出了根据实施例的由相关电子材料形成的设备的示例的电流密度与电压变化曲线的图示；

图1B是根据实施例的相关电子材料开关的等效电路的示意图；

图2A-2C示出了根据一个或多个实施例的用于制造包括氮的相关电子材料膜的方法的简化流程图；

图3A是根据实施例的镍二(环戊二烯基)分子(Ni(C₅H₅)₂的图示，其可以缩写为Ni(Cp)₂，并且可以用作制造相关电子材料的前体；

图3B是根据实施例的可以用作制造相关电子材料设备的前体的脒基镍的图示；

图3C是根据实施例的可以用作用于制造相关电子材料设备的前体的镍2-氨基-戊-2-烯-4-基(Ni(apo)₂)(nickel 2-amino-pent-2-en-4-onato(Ni(apo)₂))的图示；

图4A-4D示出了根据实施例的用于制造相关电子材料设备的方法中使用的子过程；

图5A-5D是示出了根据实施例的可以用于制造相关电子材料设备的方法中的气体流和温度随时间变化的曲线的图示；

图5E-5H是示出了根据实施例的可以用于制造相关电子材料设备的方法中的前体流和温度随时间变化的曲线的图示；以及

图6A-6C是示出了根据实施例的可以用于制造相关电子材料设备的沉积和退火过程中的温度随时间变化的曲线的图示。

具体实施方式

关于作为说明书一部分的附图做出关于以下详细说明的参考，其中，相同的附图标记始终指示相同的部分以指示对应的和/或类似的组件。应该理解，诸如出于说明的简单和/或清楚的目的，附图中示出的组件不一定按比例绘制。例如，一些组件的尺寸可能相对于其他组件被放大。此外，应该理解，可以使用其他实施例。此外，可以进行结构上和/或其他改变而不偏离所要求保护的主题。还应该注意，可以使用例如诸如上、下、顶部、底部等的方向和/或参考，来辅助附图的讨论和/或不意在限制要求保护的主题的应用。因此，下面的详细描述不被理解为限制所要求保护的主题和/或等同物。