[发明专利]含氮的相关电子材料设备的制造

权利要求书

1.一种方法，包括：

在腔室中，使衬底暴露于包括过渡金属氧化物、过渡金属或其任何组合的一种或多种气体以及第一配体，所述一种或多种气体包括一定原子浓度的含氮配体，以便使得制造的相关电子材料中的氮原子浓度在0.1％和10.0％之间；

使所述衬底暴露于气态氧化物，以形成所述相关电子材料的第一层膜；以及

重复使所述衬底以足够的时间暴露于所述一种或多种气体和所述气态氧化物，以便形成所述相关电子材料膜的附加层，所述相关电子材料的膜表现出彼此基本上不相同的第一阻抗状态和第二阻抗状态。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述相关电子材料的第一层膜包括氨(NH₃)、乙二胺(C₂H₈N₂)、一氧化氮(NO)、二氧化氮(NO₂)、NO₃^–配体、胺、酰胺或烷基酰胺或其任何组合。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括利用所述一种或多种气体吹扫所述腔室5.0秒至180.0秒。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，使所述衬底暴露于一种或多种气体，发生在5.0秒至180.0秒的时间段内。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括将所述衬底的暴露重复50至900次。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括重复所述衬底的暴露，直到所述相关电子材料的膜的厚度达到1.5nm至150.0nm之间。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述一种或多种气体包括气态的脒基镍(Ni(AMD))、镍二(环戊二烯基)(Ni(Cp)₂)、镍二(乙基环戊二烯基)(Ni(EtCp)₂)、双(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)Ni(II)(Ni(thd)₂)、乙酰丙酮镍(Ni(acac)₂)、双(甲基环戊二烯基)镍(Ni(CH₃C₅H₄)₂)、二甲基乙二肟酸镍(Ni(dmg)₂)、镍2-氨基-戊-2-烯-4-基(Ni(apo)₂)、Ni(dmamb)₂(其中dmamb是1-二甲基氨基-2-甲基-2-丁醇酯)、Ni(dmamp)₂(其中dmamp是1-二甲基氨基-2-甲基-2-丙醇酯)、双(五甲基环戊二烯基)镍(Ni(C₅(CH₃)₅)₂)或羰基镍(Ni(CO)₄)或其任何组合。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述气态氧化物包括氧气(O₂)、臭氧(O₃)、水(H₂O)、一氧化氮(NO)、一氧化二氮(N₂O)或过氧化氢(H₂O₂)中的一种或多种或其任何组合。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，使所述衬底暴露于一种或多种气体并且使所述衬底暴露于所述气态氧化物，发生在20.0℃至1000.0℃之间的温度下。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括在所述腔室中使所述暴露的衬底进行退火。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括在发起所述退火之前，使所述腔室的温度升高到20.0℃和900.0℃之间。