[发明专利]具有泄漏补偿的存储器电路

权利要求书

1.一种存储器阵列，包括：

字线；

位线；

多个存储器单元，其中每个存储器单元具有连接到所述位线的第一端子和在所述第一端子与相应的第二端子之间的电流路径；

所述多个存储器单元中的第一存储器单元，其具有所述第二端子，所述第二端子经耦合以在所述第一存储器单元被所述字线选择时接收第一电源电压；

所述多个存储器单元中的第二存储器单元，其具有所述第二端子，所述第二端子经耦合以在所述第一存储器单元被所述字线选择时接收与所述第一电源电压不同的电压；

第一晶体管，其具有耦合在第二电源电压端子和公共端子之间的电流路径；

第二晶体管，其具有耦合在所述公共端子和具有所述第一电源电压的端子之间的电流路径；

第三晶体管，其具有耦合在所述第二端子和所述公共端子之间的电流路径；和

第四晶体管，其具有耦合在所述公共端子和具有所述第一电源电压的所述端子之间的电流路径。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中与所述第一电源电压不同的所述电压基本上等于第二电源电压减去晶体管阈值电压。

3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储器单元是快闪电可编程可擦除存储器单元。

4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述存储器单元是只读存储器单元即ROM单元。

5.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一晶体管经布置以作为源极跟随器操作。

6.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第二存储器单元耦合到第二字线。

7.一种存储器阵列，包括：

多个存储器单元，每个存储器单元具有第一端子、第二端子和控制端子，所述控制端子经布置以控制相应的所述第一端子和所述第二端子之间的电流流动；

多个位线，其连接到相应的存储器单元的第一端子；以及

偏置电路，其经配置以在第一操作模式中将电源电压施加到所述存储器单元的所述第二端子，并且在第二操作模式中将与所述电源电压不同的偏置电压施加到所述第二端子，其中所述偏置电路包括：

第一晶体管，其具有耦合在第二电源电压端子和公共端子之间的电流路径；

第二晶体管，其具有耦合在所述公共端子和具有所述电源电压的端子之间的电流路径；

第三晶体管，其具有耦合在所述第二端子中的至少一个和所述公共端子之间的电流路径；和

第四晶体管，其具有耦合在所述公共端子和具有所述电源电压的所述端子之间的电流路径。

8.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述第一操作模式是活动操作模式，并且所述第二操作模式是待机操作模式。

9.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述第一操作模式是所选择的操作模式，并且所述第二操作模式是未选择的操作模式。

10.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述偏置电压基本上等于第二电源电压减去晶体管阈值电压。

11.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述存储器单元是快闪电可编程可擦除存储器单元。

12.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述存储器单元是只读存储器单元即ROM单元。

13.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述存储器单元是静态随机存取存储器单元即SRAM单元。