[发明专利]波长变换元件以及光源装置在审

专利信息
申请号: 201780009281.9 申请日: 2017-01-20
公开(公告)号: CN108604609A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 山中一彦;上野博隆;深草雅春;古贺稔浩 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;G02B5/20;G02B5/26;H01S5/06;F21S41/00;F21S43/00;F21S2/00;F21V7/22;F21W107/10;F21Y115/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王亚爱
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 波长变换元件 波长变换部件 光源装置 受光部 板状 膜状 配置
【说明书】:

波长变换元件(100)具备:基体(5)、被配置在基体(5)的表面的至少一部分的板状或膜状的波长变换部件(4)、被集成在基体(5)且包括由p型半导体以及n型半导体构成的p‑n结的受光部(6)。

技术领域

本申请涉及波长变换元件以及采用了该波长变换元件的光源装置。

背景技术

在采用了以半导体激光元件等半导体发光元件构成的半导体发光装置的光源装置中,为了射出高光通量的光,可以将从半导体发光装置射出的光照射到波长变换元件,并有效地利用在波长变换元件射出的光。

另外,在上述光源装置中需要对从半导体发光元件射出的高光通量的光进行抑制,以使该光不会由波长变换元件散射,而直接射出到外部。为此,提出了对光源装置的发光状态进行检测的系统。

以下参照图21,对专利文献1中公开的以往的光源装置进行说明。

图21是示出以往的光源装置1001的构成的概略图。

以往的光源装置1001具备:射出激光的半导体激光元件1002;荧光体1004,将从半导体激光元件1002射出的激光的至少一部分变换为非相干光;以及安全装置(光检测器1011、控制部1009),对相干激光向外部的射出进行抑制。

光检测器1011的受光元件1008接受的光为,来自被配置在反射部件1005的凹部1005a的荧光体1004的光之中的、透过光学滤波器1007的波长大约比500nm大的光。在因荧光体1004的损伤或欠缺等而导致激光被直接射出到外部的状态(光变换异常)的情况下,会出现受光元件1008的输出降低,从而在控制部1009的判断部1009a会判断为规定值以下。驱动电路1010在从控制部1009的控制信号发生部1009b接受到示出判断结果的信号的情况下,停止半导体激光元件1002的驱动。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1 日本 特开2011-66069号公报

然而,由于从波长变换部件(荧光体)射出的荧光的射出方向是不规则的,因此对于波长变换部件(荧光体)的发光状态的微小变化则不容易检测到。

例如,在专利文献1公开的光源装置1001,荧光体1004与受光元件1008的距离较远。因此,在光源装置1001,关于荧光体的脱落以及破损这种故障的最终阶段是能够判别的,但是在荧光体内部的一部分发生裂缝等这种故障的初期阶段则不能进行检测。

发明内容

本申请为了解决这种课题,目的在于提供一种能够正确地检测波长变换部件的状态的波长变换元件以及具备该波长变换元件的光源装置。

为了解决上述课题,本申请所涉及的波长变换元件具备:基体、被配置在所述基体的表面的至少一部分的板状或膜状的波长变换部件、以及集成在所述基体且包括由p型半导体以及n型半导体构成的p-n结的受光部。

通过此构成,通过在配置了波长变换部件的基体集成包括p-n结的受光部,从而受光部能够在波长变换部件的附近对从波长变换部件射出的光进行检测。因此,受光部能够正确地对波长变换部件的微小的变化进行检测。

并且,在本申请所涉及的波长变换元件,所述受光部也可以接受向所述基体入射的光。

通过此构成,受光部能够在波长变换部件的附近对从波长变换部件向基体射出的光进行检测。因此,能够正确地对波长变换部件的微小的变化进行检测。

并且也可以是,在本申请所涉及的波长变换元件,所述波长变换部件与所述表面垂直的方向的厚度,比所述波长变换部件与所述表面平行的方向的最大宽度小。

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