[发明专利]波长变换元件以及光源装置在审

专利信息
申请号: 201780009281.9 申请日: 2017-01-20
公开(公告)号: CN108604609A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 山中一彦;上野博隆;深草雅春;古贺稔浩 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;G02B5/20;G02B5/26;H01S5/06;F21S41/00;F21S43/00;F21S2/00;F21V7/22;F21W107/10;F21Y115/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王亚爱
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 波长变换元件 波长变换部件 光源装置 受光部 板状 膜状 配置
【权利要求书】:

1.一种波长变换元件,具备:

基体;

板状或膜状的波长变换部件,被配置在所述基体的表面的至少一部分上;以及

受光部,被集成在所述基体,且包括由p型半导体以及n型半导体构成的p-n结。

2.如权利要求1所述的波长变换元件,

所述受光部接受入射到所述基体的光。

3.如权利要求1或2所述的波长变换元件,

所述波长变换部件与所述表面垂直的方向的厚度,比所述波长变换部件与所述表面平行的方向的最大宽度小。

4.如权利要求1至3的任一项所述的波长变换元件,

所述波长变换元件进一步具备光学滤波器,该光学滤波器被配置在所述波长变换部件与所述基体之间,对从所述波长变换部件射出的光进行反射。

5.如权利要求4所述的波长变换元件,

所述光学滤波器包括金属膜或电介质多层膜。

6.如权利要求1至5的任一项所述的波长变换元件,

所述p型半导体以及所述n型半导体是掺杂了杂质的硅。

7.如权利要求1至6的任一项所述的波长变换元件,

所述受光部被配置在所述基体的内部或所述基体与所述波长变换部件之间。

8.如权利要求1至7的任一项所述的波长变换元件,

所述基体具备多个所述受光部。

9.如权利要求1至8的任一项所述的波长变换元件,

在对所述表面进行平面视时,所述受光部被配置在所述波长变换部件的周围。

10.如权利要求1至8的任一项所述的波长变换元件,

在对所述表面进行平面视时,所述受光部被配置在所述波长变换部件的周缘。

11.如权利要求1至10的任一项所述的波长变换元件,

所述波长变换部件具备多个波长变换区域。

12.一种光源装置,具备:

权利要求1至11的任一项所述的波长变换元件;以及

发光装置,射出向所述波长变换元件照射的光。

13.如权利要求12所述的光源装置,

所述发光装置射出激光。

14.如权利要求12或13所述的光源装置,

所述光源装置还具备光学系统,该光学系统使从所述发光装置射出的光的光程变动。

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