[发明专利]碳化硅单晶衬底

权利要求书

1.一种使用升华法制造碳化硅单晶衬底的方法，所述碳化硅单晶衬底包含相对于(0001)面在11-20方向上倾斜的主面，

在沿与主面垂直的方向观察时检测器配置于[11-20]方向、在相对于[-1-120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括所述主面的中心的第一测量区域、且使用所述检测器测量来自所述第一测量区域的衍射X射线的情况下，在6.9keV～11.7keV范围内所述衍射X射线的第一强度分布的最大强度对所述第一强度分布的背景强度之比大于或等于1500，

在沿与所述主面垂直的方向观察时所述检测器配置于平行于[-1100]方向的方向、在相对于[1-100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域、且使用所述检测器测量来自所述第一测量区域的衍射X射线的情况下，在8.0keV～9.5keV范围内所述衍射X射线的第二强度分布的最大强度对所述第二强度分布的背景强度之比大于或等于1500，

在沿与所述主面垂直的方向观察时所述检测器配置于[11-20]方向并且用X射线照射的位置在相对于[-1-120]方向在±15°以内的范围内变化的情况下，在所述第一强度分布指示在6.9keV～11.7keV范围内的最大值时的能量的最大值与最小值之差的绝对值小于或等于0.06keV，

其中在生长碳化硅单晶的步骤中，生长表面的中心的最高温度与最低温度之差保持为始终小于或等于3℃。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在沿与所述主面垂直的方向观察时所述检测器配置于与[-1100]方向平行的方向并且用X射线照射的位置在相对于[1-100]方向在±6°以内的范围内变化的情况下，在所述第二强度分布指示在8.0keV～9.5keV的范围内的最大值时的能量的最大值与最小值之差的绝对值小于或等于0.08keV。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中

所述主面具有大于或等于100mm的最大直径，

在沿与所述主面垂直的方向观察时所述检测器配置于[11-20]方向、在相对于[-1-120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括距所述主面的外边缘10mm的位置的第二测量区域、以及使用所述检测器测量来自所述第二测量区域的衍射X射线的情况下，在6.9keV～11.7keV范围内所述衍射X射线的第三强度分布的最大强度对所述第三强度分布的背景强度之比大于或等于1500，

在沿与所述主面垂直的方向观察时所述检测器配置于[-1100]方向、在相对于[1-100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第二测量区域、且使用所述检测器测量来自所述第二测量区域的衍射X射线的情况下，在8.0keV～9.5keV范围内所述衍射X射线的第四强度分布的最大强度对所述第四强度分布的背景强度之比大于或等于1500，并且

在沿与所述主面垂直的方向观察时所述检测器配置于[11-20]方向并且用X射线照射的位置在相对于[-1-120]方向在±15°以内的范围内变化的情况下，在所述第三强度分布指示在6.9keV～11.7keV范围内的最大值时的能量的最大值与最小值之差的绝对值小于或等于0.06keV。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在沿与所述主面垂直的方向观察时所述检测器配置于与[-1100]方向平行的方向且用X射线照射的位置相对于[1-100]方向在±6°以内的范围内变化的情况下，在第四强度分布指示在8.0keV～9.5keV的范围内的最大值时的能量的最大值与最小值之差的绝对值小于或等于0.08keV。